[发明专利]基于氧化铅的光敏设备及其制造方法有效
申请号: | 200680004364.0 | 申请日: | 2006-01-26 |
公开(公告)号: | CN101116189A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | M·西蒙;D·U·韦彻特;C·菲尔德曼 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L31/032;C01G21/06;H01L31/09 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李静岚;刘红 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供一种用于制造具有光敏层的光响应设备的方法。该方法包括以下步骤:a)在抽空的蒸发室内部提供干净的衬底;b)从第一坩埚中蒸发氧化铅(PbO)以在衬底的表面上形成籽晶层;c)使籽晶层感光,从而仅仅四方晶系的氧化铅形成籽晶层和/或从而使形成籽晶层的最初生长的斜方晶系的氧化铅变换成四方晶系的氧化铅;以及d)继续蒸发氧化铅,直到已经将最终厚度的光敏层沉积到衬底上。因此,该方法产生包括氧化铅的光敏层的光响应设备,其完全由四方晶系的氧化铅组成。 | ||
搜索关键词: | 基于 氧化铅 光敏 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造具有光敏层(6)的光响应设备的方法,其中该方法包括以下步骤:a)在抽空的蒸发室内部提供干净的衬底(2);b)从第一坩埚中蒸发氧化铅(Pb0)以在衬底的表面上形成籽晶层(8);c)使籽晶层感光,使得仅仅四方晶系氧化铅形成籽晶层和/或使得将形成籽晶层的最初生长的斜方晶系的氧化铅变换成四方晶系的氧化铅;以及d)继续蒸发氧化铅,直到已经将最终厚度的光敏层(6)沉积到衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的