[发明专利]利用低品位菱镁石电熔合成低硅高钙优质镁砂的方法无效

专利信息
申请号: 200610135193.7 申请日: 2006-12-29
公开(公告)号: CN1994883A 公开(公告)日: 2007-07-11
发明(设计)人: 李林儒;张祥麟 申请(专利权)人: 辽宁鑫荣矿业集团有限公司
主分类号: C01F5/06 分类号: C01F5/06;C04B35/66;C04B35/04
代理公司: 鞍山嘉讯科技专利事务所 代理人: 张群
地址: 114200*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及利用低品位菱镁石电熔合成低硅高钙优质镁砂的方法,其该方法采用低硅镁石、高钙镁石、高镁低硅镁石、低铁镁石的低品位菱镁矿石进行优选,破碎,配料,混合均匀,然后在电弧炉中熔炼10-12小时,熔炼温度2800-3300℃,在熔炼过程中加入稀土元素1-2%,轻烧镁粉5-30%;要求电极在电炉的停留时间控制在2-8秒,充分排出SiO2等杂质,缓慢冷却,生产出镁含量在96-98%的低硅高钙优质镁砂;本发明与现有技术相比的有益效果是:利用一些低品位的菱镁石,通过合理配料,生产出优质的低硅高钙电熔镁砂。
搜索关键词: 利用 品位 菱镁石电 熔合 成低硅高钙 优质 镁砂 方法
【主权项】:
1、利用低品位菱镁石电熔合成低硅高钙优质镁砂的方法,其特征在于该方法采用低硅镁石、高钙镁石、高镁低硅镁石、低铁镁石的低品位菱镁矿石进行优选,分别进行破碎成粒度为30-60mm的碎块,按要求重量份比例进行配料,混合均匀,然后在电弧炉中熔炼10-12小时,熔炼温度2800-3300℃,在熔炼过程中加入稀土元素1-2%,轻烧镁粉5-30%;要求电极在电炉的停留时间控制在2-8秒,充分排出SiO2等杂质,缓慢冷却,生产出镁含量在96-98%的低硅高钙优质镁砂;所述原料的重量份比例为:低硅菱镁石,SiO2 0.05-0.30%:20-60份高钙菱镁石,CaO 0.5-3.0%:10-40份高镁低硅菱镁石MgO≥47% 0-30份低铁菱镁石,Fe2O3 0.05-0.3%:0-50份。
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