[发明专利]长波长砷化铟/砷化镓量子点材料无效
| 申请号： | 200610088947.8 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101113328A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 刘宁;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C09K11/74 | 分类号： | C09K11/74;C09K11/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 砷化铟 砷化镓 量子 材料 | ||
【主权项】：
1.一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：-砷化镓衬底；-砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；-多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；-砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
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