[发明专利]碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法无效
| 申请号： | 200610040977.1 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1920123A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 谢毅;李本侠 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B7/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法，特征是将反应物水溶性镉盐、碲源和还原剂按照1∶1∶2－3的摩尔比溶解在30－45mL质量分数为20％－30％的氨水溶剂中，密闭在160－200℃下反应不少于3天。采用本发明方法能够在较低温度下生长出接近化学计量比组分的碲化镉单晶材料，且可避免采用高真空或特定保护气氛的条件；本发明原料便宜易得、且对空气相对稳定，制备工艺简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉单晶 低温 溶剂 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法，其特征在于：将反应物水溶性镉盐、碲源和还原剂按照1∶1∶2-3的摩尔比溶解在30-45mL质量分数为20％-30％的氨水溶剂中，密闭在160-200℃下反应不少于3天，自然冷却至室温，即得CdTe单晶。
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