[发明专利]绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜及制备方法，属于氧化钒薄膜热敏电阻技术。所述的多孔硅基氧化钒薄膜，包括单晶硅基层、多孔硅层、二氧化硅层和氧化钒薄膜层。制备过程包括：将单晶硅片依次在浓硫酸、去离子水、丙酮、乙醇中清洗；在氢氟酸与无水乙醇的混合液中电化学腐蚀，腐蚀后用去离子水洗涤，制得多孔硅层；在等离子体化学气相沉积设备中在多孔硅层表面生成二氧化硅层；利用磁控溅射方法在二氧化硅/多孔硅衬底上，溅射得到绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜层，从而得到绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜本发明的优点在于，工艺条件容易控制，制得的薄膜致密，与衬底粘附性好，面积大且均匀，具有良好的绝热性能。

主权项

1.一种绝热性能良好的多孔硅基氧化钒薄膜，其特征在于，在单晶硅基层上，依次为多孔硅层，二氧化硅层和氧化钒薄膜层，所述的多孔硅层孔隙率为60-80％厚度为20-110μm和孔径为10-50nm的多孔硅，所述的二氧化硅层厚度为980-1020的，所述的氧化钒薄膜层厚度为0.1-0.5um。