[发明专利]双向移位寄存器

摘要

双向移位寄存器包含一前级多路复用器、一前级全振幅移位寄存器、一后级多路复用器、以及一后级全振幅移位寄存器，该前级多路复用器、该前级全振幅移位寄存器、该后级多路复用器、以及该后级全振幅移位寄存器内所包含的晶体管皆属同一型态。该前级多路复用器及该后级多路复用器是用来依据一正向时钟、一反向时钟、一正向控制信号、以及一反向控制信号，选择性地输出信号，而该前级全振幅移位寄存器及该后级全振幅移位寄存器是分别用来寄存该前级多路复用器及该后级多路复用器输出的信号。

主权项

1.一种内含单一型态晶体管的双向移位寄存器，其包含：一前级多路复用器，其包含：一第一晶体管，其源极是用来输入信号，栅极是用来接收一正向时钟；一第二晶体管，其源极是耦接于该第一晶体管的漏极，栅极是用来接收一正向控制信号，该第二晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；一第三晶体管，其漏极是耦接于该第二晶体管的漏极，栅极是用来接收一反向控制信号，该第三晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；以及一第四晶体管，其漏极是耦接于该第三晶体管的源极，栅极是用来接收该正向时钟，该第四晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；一前级全振幅移位寄存器，其包含：一第五晶体管，其栅极是耦接于该第二晶体管的漏极，源极是用来接收一反向时钟，该第五晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；一第六晶体管，其源极是耦接于该第五晶体管的漏极，栅极是耦接于该第一晶体管的栅极，漏极是用来耦接于一第一电压源，该第六晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；以及一前级电容，其第一端是耦接于该第五晶体管的栅极，第二端是接地；一后级多路复用器，其包含：一第七晶体管，其源极是用来输入信号，栅极是用来接收该反向时钟，该第七晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；一第八晶体管，其源极是耦接于该第七晶体管的漏极，栅极是用来接收该反向控制信号，该第八晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；一第九晶体管，其漏极是耦接于该第八晶体管的漏极，栅极是用来接收该正向控制信号，该第九晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；以及一第十晶体管，其漏极是耦接于该第九晶体管的源极，栅极是用来接收该反向时钟，源极是耦接于该前级全振幅移位寄存器的第五晶体管的漏极，该第十晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；以及一后级全振幅移位寄存器，其包含：一第十一晶体管，其栅极是耦接于该第八晶体管的漏极，源极是用来接收该正向时钟，漏极是耦接于该前级多路复用器的第四晶体管的源极，该第十一晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；一第十二晶体管，其源极是耦接于该第十一晶体管的漏极，栅极是耦接于该第七晶体管的栅极，漏极是用来耦接于该第一电压源，该第十二晶体管的型态是相同于该第一晶体管的型态；以及一后级电容，其第一端是耦接于该第十一晶体管的栅极，第二端是接地。