[发明专利]光学记录介质无效
申请号: | 200580037779.3 | 申请日: | 2005-09-07 |
公开(公告)号: | CN101053027A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 关口洋义;伊藤和典;出口浩司;大仓浩子;加藤将纪;安部美树子 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/243;B41M5/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光学记录介质包含由其中含有至少四种元素Ga、Sb、Sn和Ge并且转变线速度为20m/s-30m/s的相变记录材料组成的记录层,并且当记录/复制光的波长处于650nm-665nm范围内并且记录线速度为20m/s-28m/s时,记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka分别满足以下数值表达式:2.0≤Nc≤3.0,4.0≤Kc≤5.0,4.0≤Na≤5.0,和2.5≤Ka≤3.1,并且在20m/s-28m/s的记录线速度范围内可记录信息。 | ||
搜索关键词: | 光学 记录 介质 | ||
【主权项】:
1.一种光学记录介质,其包含:透明基底,布置于透明基底上的第一保护层,布置于第一保护层上的记录层,布置于记录层上的第二保护层,和布置于第二保护层上的反射层,其中该记录层由包含Ga、Sb、Sn和Ge并且其中转变线速度为20m/s-30m/s的相变记录材料组成,其中当记录和复制光的波长处于650nm-665nm范围内并且记录线速度为20m/s-28m/s时,记录层在晶态下的折射率Nc和消光系数Kc以及在非晶态下的折射率Na和消光系数Ka分别满足以下数值表达式:2.0≤Nc≤3.0,4.0≤Kc≤5.0,4.0≤Na≤5.0,和2.5≤Ka≤3.1,并且其中可在20m/s-28m/s的记录线速度范围内记录信息。
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