[发明专利]二元束操控装置

摘要

用于操控电磁束的元件。该元件包括与多层光学堆栈中的介电层和其它层结合的相变材料。该相变材料可以在两个或多个结构状态之间可逆地转换，其中不同的结构状态根据折射率和/或消光系数而不同。相变材料的结构状态建立元件的相角状态，该相角状态指示由入射电磁束产生的输出束的传播方向。根据该结构状态，该元件采用两个主要相角状态之一，并且实现二元束操控能力，其中可以在两个方向中的任一方向上重定向入射电磁束。在优选实施例中，输出束是反射束，并且该元件包括夹在两个介电材料之间的并由金属层支承的相变材料。

主权项

1、用于引导入射电磁束的元件，包括：第一介电层；形成在所述第一介电层上的有源层，所述有源层包括多个相变区域，所述相变区域包括相变材料，所述相变材料具有第一结晶形式和第二结晶形式，所述相变区域具有多个结构状态，所述结构状态中的每一个都包括所述第一结晶形式的第一比例和所述第二结晶形式的第二比例；以及形成在所述有源层上的第二介电层；所述相变区域具有第一相角状态和第二相角状态，所述相变区域在处于所述第一相角状态中时提供第一相角间隔，并且在处于所述第二相角状态中时提供第二相角间隔，所述第一相角状态包括跨越所述第一结晶形式的比例的第一范围的所述结构状态的第一子集，所述第二相角状态包括跨越所述第一结晶形式的比例的第二范围的所述结构状态的第二子集，所述第一结晶形式的所述比例的所述第一和第二范围是不重叠的；其中具有所述第一结晶形式的最大比例的所述第一相角状态的结构状态与具有所述第一结晶形式的最小比例的所述第二相角状态的结构状态在所述第一结晶形式的比例方面相差小于或等于20％，并且所述第一相角状态的所述第一结晶形式状态的所述最大比例的相角和所述第二相角状态的所述第一结晶形式状态的所述最小比例的相角相差至少45°。