[发明专利]具有(111)垂直侧壁的纳米线装置及其制造方法

摘要

一种纳米尺寸装置10、20、30、60和制造方法40、50、70提供了具有(111)垂直侧壁14a、22e、34a、64a的纳米线14、24、34、64。该纳米尺寸装置包含沿[110]方向抛光的绝缘体上半导体衬底12、22、32、62，该纳米线，以及位于纳米线24、34对立端部的电接触26、36。方法40、50、70包含湿法刻蚀42、52、72该绝缘体上半导体衬底的半导体层12a、22a、32a、62a，以形成44、54在半导体层22a、32a内一对岛22f、32f之间延伸的纳米线24、34。方法50进一步包括在该对岛上沉积56导电材料，以形成电接触26、36。纳米pn二极管60包含作为第一纳米电极的纳米线64、垂直堆叠在纳米线64上的pn结66、以及在该pn结的(110)水平平面端部上的第二纳米电极68。纳米pn二极管60可以制造为绝缘体上半导体衬底62上的二极管阵列。

主权项

1.一种纳米尺寸装置10、20、30、60，包括：沿[110]方向抛光的绝缘体上半导体衬底12、22、32、62；具有垂直侧壁14a、22e、34a、64a的半导体纳米线14、24、34、64，所述侧壁为沿[110]方向抛光的衬底12、22、32、62的(111)垂直晶面12e、22e、32e、64a，所述(111)垂直侧壁14a、22e、34a、64a从(110)水平表面12d、14b、22d、32d、64b延伸到沿[110]方向抛光的衬底12、22、32、62的绝缘体层12b、22b、32b、62b；以及位于所述纳米线14、24、34、64相对端部的电接触26、36。