[发明专利]图案化工艺与接触窗有效
| 申请号： | 200510090743.3 | 申请日： | 2005-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1916714A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 刘志鸿 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图案化工艺，首先提供基板，此基板上已形成有介电层，且介电层上已形成有光刻胶材料层。接着，提供光刻掩膜，此光刻掩膜具有透光的光刻掩膜图案与位于透光的光刻掩膜图案周围的局部曝光图案。接下来，透过上述光刻掩膜对光刻胶材料层进行曝光。继之，对光刻胶材料层进行显影，以在光刻胶材料层中形成开口图案，且光刻胶材料层的开口图案的侧壁具有小于90度的倾斜度。接下来，利用此光刻胶材料层对介电层进行蚀刻，以于介电层中形成接触窗开口。之后，移除光刻胶材料层。通过上述的局部曝光图案，可改变光刻掩膜图案边缘的曝光量，进而能够蚀刻出具有小于90度的倾斜度的侧壁的图案，以改善后续沉积的薄膜的膜厚均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 化工 接触 | ||
【主权项】：
1.一种图案化工艺，其特征在于包括：提供基板，该基板上已形成有介电层，且该介电层上已形成有光刻胶材料层；提供光刻掩膜，该光刻掩膜具有透光的光刻掩膜图案与位于该透光的光刻掩膜图案周围的局部曝光图案；透过该光刻掩膜对该光刻胶材料层进行曝光；对该光刻胶材料层进行显影，以在该光刻胶材料层中形成开口图案，且该光刻胶材料层的该开口图案的侧壁具有小于90度的倾斜度；利用该光刻胶材料层对该介电层进行蚀刻，以于该介电层中形成接触窗开口；以及移除该光刻胶材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司，未经中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510090743.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：析出强化型铜合金线杆的在线固溶方法
- 下一篇：发动机进气歧管
