[发明专利]电容式硅传声器无效
| 申请号： | 200510084358.8 | 申请日： | 2005-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1901758A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 宋青林;梅嘉欣;乔峰 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔电子有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 260061山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种电容式硅传声器，包括：硅衬底、体硅腐蚀阻挡层、振膜、低温二氧化硅或磷硅玻璃隔离层以及背极；在背极正面，向内部竖直开有上电极孔和下电极孔，上电极孔和下电极孔内设有上下金属电极；振膜下面中部为体硅腐蚀形成的背腔，振膜和背极之间形成气隙，背腔与气隙之间隔着振膜；其为背极在上、振膜在下的电容结构，电容的上极板为低应力刚性复合背极，下极板为低应力振膜，隔离层夹在上下极板之间；背极上中部与背腔和气隙相对的位置，设有复数个声孔，声孔与气隙相通。本发明具有高灵敏度、低噪声的特性，工艺简单，容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 传声器 | ||
【主权项】：
1.一种电容式硅传声器，具有高灵敏度、低噪声的特性，包括：硅衬底、体硅腐蚀阻挡层、振膜、低温二氧化硅或磷硅玻璃隔离层以及背极；在背极正面，向内部竖直开有上电极孔和下电极孔，上电极孔和下电极孔内设有上下金属电极；振膜下面中部为体硅腐蚀形成的背腔，振膜和背极之间形成气隙，背腔与气隙之间隔着振膜；其特征在于：为背极在上、振膜在下的电容结构，电容的上极板为低应力刚性复合背极，下极板为低应力振膜，隔离层夹在上下极板之间；背极上中部与背腔和气隙相对的位置，设有复数个声孔，声孔与气隙相通。
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