[发明专利]桥式电场微传感器无效
| 申请号： | 200510040659.0 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1710432A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 黄庆安;王立峰;秦明 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电场测试的桥式电场微传感器，由2个n沟道电场传感器和2个p沟道电场传感器组成，其中一个n沟道电场传感器的漏极和其中一个p沟道电场传感器的源极连接并形成第一节点，其中另一个n沟道电场传感器的漏极和其中另一个p沟道电场传感器的源极连接并形成第二节点，在第一节点与第二节点之间加载电源，上述一个n沟道电场传感器的源极与上述另一个p沟道电场传感器的漏极连接并形成第四节点，上述另一个n沟道电场传感器的源极与上述一个p沟道电场传感器的漏极连接并形成第三节点，第三节点与第四节点构成输出端；本发明能够抑制温漂。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种用于电场测试的桥式电场微传感器，其特征在于由2个n沟道电场传感器(ENMOS1、ENMOS1’)和2个p沟道电场传感器(EPMOS2、EPMOS2’)组成，其中一个n沟道电场传感器(ENMOS1’)的漏极和其中一个p沟道电场传感器(EPMOS2’)的源极连接并形成第一节点(3)，其中另一个n沟道电场传感器(ENMOS1)的漏极和其中另一个p沟道电场传感器(EPMOS2)的源极连接并形成第二节点(4)，在第一节点(3)与第二节点(4)之间加载电源(Vdd)，上述一个n沟道电场传感器(ENMOS1’)的源极与上述另一个p沟道电场传感器(EPMOS2)的漏极连接并形成第四节点(6)，上述另一个n沟道电场传感器(ENMOS1)的源极与上述一个p沟道电场传感器(EPMOS2’)的漏极连接并形成第三节点(5)，第三节点(5)与第四节点(6)构成输出端。
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