[发明专利]成像设备

摘要

在具有防止扁平成像设备中短时间充电的凹/凸部分的隔板中，由于这些凹/凸部分而抑制了长时间驱动时的充电，其中在该成像设备中电子源基板和阳极基板被排列成通过该隔板彼此相对。在该隔板中，于带有粗糙表面的绝缘基板的表面上涂覆高电阻膜，该高阻膜具有双层，即位于基板侧上的低电阻区和位于前表面侧上的高电阻区，每个凹/凸部分的斜面上的高电阻膜的厚度(t)以及高电阻区的厚度(s)设置成对于一次电子贯入长度(dp)以及离子化电子扩散长度(λ)为t≥dp+λ≥s。

主权项

1.一种成像设备，包括：具有多个电子发射器件以及对所述电子发射器件施加电压的布线的电子源基板；被设置成对着所述电子源基板并且具有若干光发射元件和一个阳极电极的阳极基板，其中，每个光发射元件通过从每个所述电子发射器件发射的电子的辐射而发光；存在于所述电子源基板和所述阳极基板的周边部分中的、并且和所述电子源基板以及所述阳极基板一起形成真空容器的框架；以及被设置成与所述电子源基板以及所述阳极基板接触、并且保持二块所述基板间的距离的隔板，其中，所述隔板具有沿二块所述基板的法向带有凹部分和凸部分的绝缘基板，并且具有电阻比所述绝缘基板的电阻低而且带有和所述绝缘基板的凹部分和凸部分对应的粗糙表面的高电阻膜，以及在所述隔板的至少一部分区域中，位于所述绝缘基板的凹部分和凸部分中与二块所述基板的法线相交的每个部分上的高电阻膜的厚度满足下述一般方程(1)t≥dp+λ (1)其中t：高电阻膜的厚度()dp：一次电子贯入长度()＝m×En λ：离子化电子扩散长度()＝30/QE：一次电子能量的上限值(keV)m、n、Q：参数常量，根据下面的一般方程(2)、(3)和(11)，它们从隔板表面的二次电子发射系数的入射能量相关性特性δ(E)以及比重按实验方法获得$\delta =\frac{1}{4}P{\left(\mathrm{Qm}\right)}^{-1}{E}^{1-n}[1-\{1+(\frac{1}{\gamma }-1){\mathrm{QmE}}^n\left\}\exp (-\mathrm{Qm}{E}^n)\right]---\left(2\right)$ $\gamma =1+\frac{0.68273}{{\left(Q_m{E}^n\right)}^{0.86212}}---\left(3\right)$ m＝520×A(Zeff)/Zeff/ρ (11)其中ρ(g/cm3)是作为膜密度的比重，并且m基于从膜的成分配比得到的有效原子量A(Zeff)和有效原子序数Zeff之间的比获得，而且其中，ρ：是从所述δ(E)按实验方法得到的参数常量。