[发明专利]用于具有最小图案密度要求的半导体技术的电感和电容元件无效
申请号: | 200480021000.4 | 申请日: | 2004-07-15 |
公开(公告)号: | CN1826670A | 公开(公告)日: | 2006-08-30 |
发明(设计)人: | 塞利娜·J·德切韦里;韦伯·D·范诺尔特 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F41/04;H01L23/522 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供一种包括多个层的半导体器件,该半导体器件包括:具有第一主表面的衬底,在该衬底的第一主表面上制造的电感元件,该电感元件包括至少一根导线,以及在至少一层中的多个瓦面结构,其中该多个瓦面结构电连接在一起,并且布置成几何图案,以便基本上抑制在瓦面结构中由电感元件中的电流引起像电流。上述半导体器件的优点在于,通过使用这种瓦面结构,获得了品质因数改善了的电感元件。本发明还提供一种用于在包括多个层的半导体器件中提供电感元件的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 具有 最小 图案 密度 要求 半导体 技术 电感 电容 元件 | ||
【主权项】:
1、包括多个层的半导体器件(10),该半导体器件(10)包括:具有第一主表面的衬底(20),在该衬底(20)的所述第一主表面上制造的电感元件(11),该电感元件(11)包括至少一根导线,在至少一层中的多个瓦面结构,其中该多个瓦面结构电连接在一起,并且布置成几何图案(14),以便基本上抑制在所述瓦面结构中由所述电感元件(11)中的电流引起像电流。
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