[发明专利]在高温恒定电场中与时间有关的介质击穿试验方法无效
| 申请号： | 200410051151.6 | 申请日： | 2004-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1588102A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 罗宏伟 | 申请（专利权）人： | 信息产业部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R31/28 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 510610广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种与时间有关的介质击穿可靠性的测试方法，所述测试方法采用高温恒定电压应力对集成电路栅氧化层及介质层测试结构进行TDDB可靠性测试，测试方法按如下步骤进行：搭建测试系统，首先将测试结构并联，然后将试验样品置于高温箱中，接着再与外接电阻串联，最后将外接电阻与测试台相连；给测试结构施加高温和恒定电压应力；测量外接电阻上的电压，以判断是否有测试结构失效；当有测试结构失效时，将试验样品从高温箱中取出，放置于测试台上逐个测量测试结构失效与否；按照此失效判据记录每个样品的失效时间，直到达到总的试验时间为止。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 恒定 电场 时间 有关 介质击穿 试验 方法 | ||
【主权项】：
1、一种与时间有关的介质击穿可靠性的测试方法，其特征在于：所述测试方法采用高温恒定电压应力对集成电路栅氧化层及介质层测试结构进行TDDB可靠性测试，测试方法按如下步骤进行：A、搭建测试系统，首先将测试结构并联，然后将试验样品置于高温箱中，接着再与外接电阻串联，最后将外接电阻与测试台相连；B、给测试结构施加高温和恒定电压应力；C、测量外接电阻上的电压，以判断是否有测试结构失效；D、当有测试结构失效时，将试验样品从高温箱中取出，放置于测试台上逐个测量测试结构失效与否；E、按照此失效判据记录每个样品的失效时间，直到达到总的试验时间为止。
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