[发明专利]过电压控制模块有效

专利信息
申请号: 200410039063.4 申请日: 2004-02-02
公开(公告)号: CN1558480A 公开(公告)日: 2004-12-29
发明(设计)人: 杨季民 申请(专利权)人: 杨季民
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 075000河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明涉及一种过电压控制模块,主要特点在于:所述的过电压控制模块有一个包括压敏电阻R1和可控硅VDT的过电压开关电路。电容C1是为防止可控硅VDT误触发而设置的。电阻R2、电容C2构成防止可控硅VDT瞬态过电压的抑制电路。所述的过电压控制模块有四个引脚,分别为引脚1、引脚2、引脚3、引脚4。该模块配合跳闸线圈YA、断路器SA使用。实验证明,本发明结构简单、便于安装、运行稳定可靠、使用寿命长。更为重要的是:本发明对环境适应能力强,对交、直流都能稳定可靠地工作,是一种新型的系列化的过电压控制模块产品。
搜索关键词: 过电压 控制 模块
【主权项】:
1.一种过电压控制模块,其特征在于:所述的过电压控制模块有三支二极管:VD1、VD2、VD3,所述的过电压控制模块有一个包括压敏电阻R1和可控硅VDT的过电压开关电路;所述的过电压控制模块有四个引脚,分别为引脚1、引脚2、引脚3、引脚4;所述的过电压控制模块的引脚2连接二极管VD1的正极,所述的过电压控制模块的引脚3连接二极管VD2的正极,所述的过电压控制模块的引脚4连接二极管VD3的正极;二极管VD1、VD2、VD3的负极相连接,可控硅VDT的阳极连接二极管VD1、VD2、VD3的负极,压敏电阻R1的一端连接二极管VD1、VD2、VD3的负极;压敏电阻R1的另一端连接二极管VD4的正极,二极管VD4的负极连接可控硅VDT的控制极,电阻R3的一端连接可控硅VDT的控制极,可控硅VDT的阴极连接所述的过电压控制模块的引脚1,电阻R3的另一端连接所述的过电压控制模块的引脚1。
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