[发明专利]缺陷源识别器无效
| 申请号： | 01802992.2 | 申请日： | 2001-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN1398348A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 阿莫斯·多尔;马亚·拉德辛斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 分析半导体晶片上缺陷的方法及相关装置。该方法包括识别半导体晶片上的缺陷。在缺陷源识别器客户机内建立缺陷检测信息。通过网络将缺陷检测信息传送到缺陷源识别器服务器。响应缺陷检测信息，在缺陷源识别器服务器处导出缺陷源信息。该缺陷源信息从缺陷源识别器服务器传送到缺陷源识别器客户机。在缺陷源识别器客户机处利用缺陷源信息。在一个方面，对缺陷解决方案信息的利用涉及响应该缺陷解决方案信息，在缺陷源识别器客户机处显示对该缺陷的缺陷解决方案。在另一个方面，对缺陷解决方案信息的利用涉及改变晶片处理系统的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 识别 | ||
【主权项】：
1.一种分析半导体晶片上缺陷的方法，包含：识别半导体晶片上的缺陷；在缺陷源识别器客户机内建立缺陷检测信息，该缺陷检测信息含有关于识别出的缺陷的信息；通过网络把缺陷检测信息传送到缺陷源识别器服务器；响应缺陷检测信息，在缺陷源识别器服务器处导出缺陷源信息；把缺陷源信息从缺陷源识别器服务器传送到缺陷源识别器客户机；以及在缺陷源识别器客户机处利用该缺陷源信息。
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