[发明专利]多层集成式基片和多层陶瓷元件的制造方法有效
| 申请号： | 01110979.3 | 申请日： | 2001-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1165209C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 酒井范夫;饭田和浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H05K3/34 | 分类号： | H05K3/34;H01L23/15 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多层集成式基片，其特点在于包括至少一个防裂部件，该防裂部件设置得跨越多个折断凹槽中的至少一个。该防裂部件能防止多层集成式基片沿折断凹槽不理想地破裂。另外，本发明还提供了一种多层陶瓷元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 集成 式基片 陶瓷 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层集成式基片，包含：包括多个陶瓷层，并具有一个主表面的层叠体；以格子样式设置在所述主表面内的多个折断凹槽；和多个多层陶瓷元件，在由所述多个折断凹槽分成的多个块体中构成，并通过沿所述多个折断凹槽折断所述多层集成式基片而得到，其特征在于，所述多层集成式基片还包括至少一个防裂部件，该防裂部件设置得跨越所述多个折断凹槽中的至少一个。
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