[发明专利]线性采样开关无效
| 申请号： | 00802713.7 | 申请日： | 2000-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1337093A | 公开（公告）日： | 2002-02-20 |
| 发明（设计）人： | S·S·巴扎佳尼 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种由p沟道与n沟道场效应晶体管(FET)构成的采样电路。p沟道FET(42)的源节点耦合至n沟道FET(40)的漏节点,而p沟道FET(42)的漏节点耦合至n沟道FET(40)的源节点。采样时钟耦合至各FET的栅节点。线性采样电路的第一侧接至模拟或RF信号源,线性采样电路的远侧接至保持电容器(44)。n沟道FET具有n沟道宽度,p沟道FET具有p沟道宽度,且后者大于前者,以提高制成的开关的接通电阻的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 线性 采样 开关 | ||
【主权项】：
1.一种开关，它包括：具有n沟道宽度的n沟道FET；和具有p沟道宽度的p沟道FET；其特征在于，所述p沟道FET的源节点耦合至所述n沟道FET的漏节点，所述p沟道FET的漏节点耦合至所述n沟道FET的源节点，而所述p沟道FET的栅节点和所述n沟道FET的栅节点均配置成耦合至互补时钟信号；而且其中所述p沟道宽度大于所述n沟道宽度，以提高所述开关的线性度。
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