[实用新型]双向硅堆无效
| 申请号： | 00211116.0 | 申请日： | 2000-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN2419687Y | 公开（公告）日： | 2001-02-14 |
| 发明（设计）人： | 何平 | 申请（专利权）人： | 何平 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 许宗富 |
| 地址： | 114001 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件,具体地说是由一组PN结芯片组成的硅堆。它是由两组单向PN结芯片硅堆反并联封装构成,每组单向硅堆的PN结芯片数量为1～30个。本实用新型的出现,不但可做到电路的结构简单,故障率降低,维修方便,而且其元件的体积小,电压的嵌位波动少,准确率高,有利于电路的工作稳定,一定会受到使用者欢迎。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 | ||
【主权项】：
1．一种双向硅堆，具有PN结芯片，其特征在于：它是由两组单向PN结芯片硅堆反并联封装构成，每组单向硅堆的PH结芯片数量为1～30个。
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