[发明专利]门极可关断晶闸管关断过电压低损耗吸收电路无效
| 申请号： | 00105938.6 | 申请日： | 2000-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1110141C | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 刘文华;高航;梁旭;刘遵义;纪勇 | 申请（专利权）人： | 河南省电力公司;清华大学 |
| 主分类号： | H03K17/732 | 分类号： | H03K17/732;H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京清亦华专利事务所 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种门极可关断晶闸管关断过电压低损耗吸收电路，该电路包括一个三角形吸收电路，由两个电阻-电容-二极管吸收电路及一个钳位电容组成，一个桥臂开通过电流吸收电路，由阳极电抗器、阳极电阻和阳极吸收二极管组成，一个钳位电容器，连接在阳极吸收二极管的阴极与直流母线负极之间，本发明设计的门极可关断晶闸管关断吸收电路，能有效地抑制门极可关断晶闸管关断时产生的过电压尖峰，使过电压尖峰在安全范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 门极可关断 晶闸管 过电 压低 损耗 吸收 电路 | ||
【主权项】：
1、一种门极可关断晶闸管关断过电压低损耗吸收电路，其特征在于该关断过电压低损耗吸收电路包括：(1)一个三角形吸收电路，由两个电阻-电容-二极管吸收电路及一个钳位电容组成，用于抑制门极可关断晶闸管关断时产生的过电压(VDSP、VDM、VR)，所述的两个电阻-电容-二极管吸收电路中，二极管和电容间的连线为宽铜板，宽铜板宽度为40毫米，厚1毫米；(2)一个桥臂开通过电流吸收电路，由阳极电抗器、阳极电阻和阳极吸收二极管组成，用于抑制门极可关断晶闸管开通时的电流上升速度；(3)一个钳位电容器，连接在阳极吸收二极管的阴极与直流母线负极之间，用于抑制过电压(VR)。
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