|
钻瓜专利网为您找到相关结果 51395个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]存储器的形成方法及存储器-CN202010575406.8在审
-
张林涛;权锺完;张令国;刘旭;周贤贵
-
长鑫存储技术有限公司
-
2020-06-22
-
2022-01-07
-
H01L21/8242
- 本发明实施例提供一种存储器的形成方法及存储器,存储器的形成方法,包括:提供基底,基底中至少包括字线结构以及有源区,以及位于基底顶部表面的底介质层和位线接触层,底介质层中具有位线接触开口,位线接触开口暴露出基底中的有源区,位线接触层覆盖底介质层且填充位线接触开口;刻蚀部分位线接触层,形成不同高度的位线接触层;形成导电层,于垂直于字线结构延伸的方向上,导电层顶部表面位于不同高度,于字线结构延伸的方向上,所述导电层顶部表面位于不同高度;形成顶介质层;刻蚀形成分立的位线结构。通过形成位线结构中的导电层位于不同高度,在不改变位线结构排布方式的基础上,增大位线结构中导电层之间的间距。
- 存储器形成方法
|