专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种痛经贴-CN202010271404.X在审
  • 王孝成 - 深圳大雅堂中医馆
  • 2020-04-07 - 2021-03-26 - A61K36/8905
  • 本发明提供了一种痛经贴,包括贴肤层,所述贴肤层的内表面中间设有药膏体,所述贴肤层的四周表面还设有胶体层,所述药膏体还包括铁氧发热体层,所述药膏体在在铁氧发热体层的上表面,所述药膏体的上部还设有可撕掉的保护层。该痛经贴能够有效改善女性痛经的复合中药配比,经过实践证实了处方的有效性,该药膏能够起到活血化瘀、温经散寒、通络止痛。
  • 一种痛经
  • [发明专利]用于消防现场的声警报器、警报电路及电路驱动方法-CN202010286704.5在审
  • 成钊松;谢友亮 - 青鸟消防股份有限公司
  • 2020-04-13 - 2021-03-26 - G08B3/10
  • 本发明公开了一种消防现场的声警报器、警报电路及其驱动方法,警报电路包括消防两总线、整流模块、供电模块、主控模块、声供电模块、声驱动模块以及蜂鸣器,所述主控模块连接到所述声供电模块和所述生驱动模块;所述声驱动模块连接到所述蜂鸣器;所述主控模块从消防两总线接收警报命令后控制所述发生供电模块,所述发生供电模块向所述声驱动模块供电,所述主控模块发出频率变化的PWM信号给所述声驱动模块,所述声驱动模块驱动蜂鸣器发出音调可变的警报声;当所述发声供电模块在未启动声警报时,所述主控制模块控制所述发声供电模块停止向所述声驱动模块供电。本发明用于消防现场的警报电路及声警报器,可有效降低声驱动警报功耗。
  • 用于消防现场警报器警报电路驱动方法
  • [发明专利]自动取样设备和自动取样方法-CN202010315411.5在审
  • 张礼松;李存金;胡韩 - 广州智达实验室科技有限公司
  • 2020-04-21 - 2021-03-26 - G01N1/14
  • 本发明涉及处理仪器技术领域,公开了一种自动取样设备和自动取样方法。所述自动取样设备包括图像采集装置,用于采集盛放有待分析样品的样品容器的图像信息;分析控制装置,与所述图像采集装置相连接,用于对所述图像信息进行分析,以确定所述样品容器中所述样品的分层界面,并根据分析结果生成取样控制指令;取样装置,与所述分析控制装置连接,用于基于所述取样控制指令对所述样品容器中的所述样品进行取样。本发明提供的自动取样设备通过图像采集装置获取待分离样品的图像信息,并通过分析控制装置完成样品的分层识别,代替了人体视觉器官完成识别过程。同时,利用取样装置实现对所述样品容器内分层界面的精准定位和自动取样,提高自动化程度。
  • 自动取样设备方法
  • [发明专利]一种人工石墨散热膜石墨化工艺-CN202010329599.9在审
  • 朱先磊;葛志远;王星 - 安徽恒炭新材料科技有限公司
  • 2020-04-24 - 2021-03-26 - C01B32/205
  • 本发明公开了一种人工石墨散热膜石墨化工艺,包括以下步骤:步骤一:获得碳化膜;步骤二:装炉,将碳化膜通过舟皿送入到石墨炉中;步骤三:抽真空,将石墨炉的内腔抽至真空状态;步骤四:填充惰性保护气体;步骤五:一阶升温,使石墨炉内的温度由常温升至1150~1250℃;步骤六:二阶升温,使石墨炉内的温度由1150~1250℃升至2000~2100℃;步骤7:三阶升温,使石墨炉内的温度由2000~2100℃升至3000~3100℃;步骤8:保温,当石墨炉内腔中的温度升至3000~3100℃时,开始保温;步骤9:冷却,保温后进行冷却。本发明针对现有技术中人工石墨散热膜的耐弯折性能差、导热性能差等问题进行改进,本发明具有提高人工石墨散热膜的耐弯折性能和导热性能的优点。
  • 一种人工石墨散热化工
  • [发明专利]一种血管通路系统、血液采集方法及夹紧夹装置-CN202010330251.1在审
  • 鄢波;陈熙巍;江涛;胡秋霞 - 贝克顿·迪金森公司
  • 2020-04-24 - 2021-03-26 - A61M5/158
  • 一种可以被构造成用于血液抽吸的血管通路系统可以包含壳体,所述壳体可以包含远侧端、近侧端以及设置于所述远侧端与所述近侧端之间的狭槽。所述狭槽可以包含槽口。所述血管通路系统可以包含插管座,所述插管座可以设置于所述壳体内并且可相对于所述狭槽运动。所述插管座可以包含延伸通过所述狭槽的接片。所述血管通路系统可以包含从所述插管座向远侧延伸的插管。响应于所述接片布置于所述槽口内,所述插管的远侧尖端可以处于所述壳体内。响应于使所述接片沿着所述狭槽前进至所述狭槽的远侧端,所述插管的远侧尖端布置于所述壳体的远侧端的远侧。本申请还涉及一种血液采集方法以及一种夹紧夹装置。
  • 一种血管通路系统血液采集方法夹紧装置
  • [发明专利]线圈组件-CN202010331458.0在审
  • 金材勳;文炳喆;柳正杰 - 三星电机株式会社
  • 2020-04-24 - 2021-03-26 - H01F27/28
  • 本公开提供一种线圈组件,所述线圈组件包括:支撑基板;第一线圈部和第二线圈部,分别布置在支撑基板上;主体,支撑基板以及第一线圈部和第二线圈部嵌入在所述主体中;第一引出部和第二引出部,分别连接到第一线圈部的端部和第二线圈部的端部并且从一个表面暴露以彼此间隔开;以及第一连接部和第二连接部,第一连接部将第一线圈部的端部连接到第一引出部,第二连接部将第二线圈部的端部连接到第二引出部,其中,第一连接部和第二连接部中的每个的连接到第一线圈部和第二线圈部的相应端部的一端的线宽小于第一连接部和第二连接部中的每个的连接到第一引出部和第二引出部中的相应一个的另一端的线宽。
  • 线圈组件
  • [发明专利]一种轨道交通隧道除冰机-CN202010383464.0在审
  • 蔡十华;王贤平;黎小静;郭明佳;陈珊;章子鹏;邱建国 - 江西师范大学
  • 2020-05-08 - 2021-03-26 - E01H5/12
  • 本发明提供了一种轨道交通隧道除冰机,它包括除冰装置、导冰装置和小车装置,其中导冰装置包括支撑杆、铰链槽、导冰板、伞骨、第一伸缩杆、活动环、固定环和拉杆,固定环与支撑杆底部固定连接,活动环与支撑杆中部滑动连接,铰链槽与支撑杆顶部固定连接;支撑杆下端与小车装置铰接,拉杆下端与小车装置铰接,拉杆上端与固定环铰接;第一伸缩杆两端分别连接固定环和活动环,伞骨两端分别连接活动环和导冰板底部,导冰板上端与铰链槽铰接;除冰装置与支撑杆上端连接。该轨道交通隧道除冰机能够方便地对轨道交通隧道进行除冰。
  • 一种轨道交通隧道除冰
  • [发明专利]反熔丝结构-CN202010391350.0在审
  • 黄庆玲;施江林 - 南亚科技股份有限公司
  • 2020-05-11 - 2021-03-26 - H01L23/525
  • 本发明公开了一种反熔丝结构,包含基板、主动层、电极层以及介电层。主动层位于基板上方,且具有主体以及由主体凸出的凸部。电极层位于主动层上方且部分重叠主动层的凸部。电极层具有镂空区域,且主动层的凸部位于镂空区域中。介电层位于主动层与电极层之间。借此,本发明的反熔丝结构,借由上述设置,可降低反熔丝结构失效的机率。
  • 反熔丝结构
  • [发明专利]具有芯片到芯片接合结构的半导体装置-CN202010392284.9在审
  • 吴星来;成象铉;朴光辉;崔齐玹 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-05-11 - 2021-03-26 - H01L27/11524
  • 具有芯片到芯片接合结构的半导体装置。一种半导体装置包括:第一芯片,其被划分成多个区域,所述第一芯片包括所述多个区域中的每一个中的多个第一焊盘和多个第一测试焊盘;以及第二芯片,其包括与所述多个第一焊盘对应的多个第二焊盘以及与所述多个第一测试焊盘对应的多个第二测试焊盘,并且所述第二芯片接合到第一芯片上,使得所述多个第二焊盘联接到所述多个第一焊盘。第二芯片包括链接到所述多个第二焊盘的电压生成电路,该电压生成电路基于由于所述多个第一测试焊盘与所述多个第二测试焊盘之间的接触电阻而引起的各个区域的电压降值来针对所述多个区域中的每一个向所述多个第二焊盘提供经补偿的电压。
  • 具有芯片接合结构半导体装置
  • [发明专利]半导体装置的形成方法-CN202010406654.X在审
  • 林大钧;潘国华;廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-05-14 - 2021-03-26 - H01L21/336
  • 在此提供一种半导体装置的形成方法。此方法包括在基板上的第一区域及第二区域内沉积半导体堆叠,其中半导体堆叠具有交替排列的第一类型的半导体材料层与第二类型的半导体层。此方法亦包括从第二区域移除半导体堆叠的一部分以形成沟槽,并且通过外延成长工艺将第二类型的半导体材料填充于沟槽中。此方法亦包括图案化位于第一区域内的半导体堆叠以形成纳米结构堆叠,图案化位于第二区域内的第二类型的半导体材料以形成鳍片结构,以及在纳米结构堆叠与鳍片结构两者上形成栅极结构。
  • 半导体装置形成方法

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