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[实用新型]MEMS装置-CN202223436036.3有效
发明人： L·G·法罗尼;A·弗兰吉;V·泽加;C·加佐拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及MEMS装置。一种基于MEMS的装置，包括由晶胞形成并具有延伸穿过声子晶体主体的缺陷线的声子晶体主体。缺陷线内的晶胞缺少与缺陷线外的晶胞相同的声子带隙。输入MEMS谐振器被机械耦接到缺陷线的第一端，输出MEMS谐振器机械被耦接到缺陷线的第二端。缺陷线外的每个晶胞具有相同的几何形状。输入MEMS谐振器和输出MEMS谐振器各自在缺陷线外的晶胞所拥有的相同声子带隙内具有固有频率。可以存在多于一条缺陷线，并且在这种情况下，MEMS装置可以包括多于一个输入MEMS谐振器和/或多于一个输出MEMS谐振器。根据本公开的MEMS装置有助于减轻能量损耗。
mems 装置

[发明专利]对拉入有弹性的长冲程MEMS致动器和包括致动器的电子系统-CN202310074280.X在审
发明人： A·奥普雷尼;V·泽加;A·弗兰吉;G·加特瑞;M·里亚尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B81B5/00 文献下载
摘要：本公开涉及对拉入有弹性的长冲程MEMS致动器和包括致动器的电子系统。MEMS致动器，包括：衬底；第一半导体层和第二半导体层；框架，其包括由第二半导体层形成的横向区域，平行于第一方向伸长并且沿第二方向偏移，框架可平行于第二方向移动。MEMS致动器包括，针对每个横向区域：对应的前转子区域，其被固定到横向区域并且被悬置在衬底上方；第一定子区域和第二定子区域，其由第一半导体层形成，使得当框架处于静止位置时，横向区域相对于第一定子区域和第二定子区域侧向偏移，并且第一前转子区域部分地面对第一定子区域，并且使得在框架沿第二方向平移期间，当横向区域开始叠加在第一定子区域上时，第一前转子区域和/或第二前转子区域至少部分地面对第二定子区域。
有弹性冲程 mems 致动器包括电子系统

[发明专利]基于缺陷的MEMS声子晶体平板波导-CN202211651592.4在审
发明人： L·G·法罗尼;A·弗兰吉;V·泽加;C·加佐拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及基于缺陷的MEMS声子晶体平板波导。一种基于MEMS的装置，包括由晶胞形成并具有延伸穿过声子晶体主体的缺陷线的声子晶体主体。缺陷线内的晶胞缺少与缺陷线外的晶胞相同的声子带隙。输入MEMS谐振器被机械耦接到缺陷线的第一端，输出MEMS谐振器机械被耦接到缺陷线的第二端。缺陷线外的每个晶胞具有相同的几何形状。输入MEMS谐振器和输出MEMS谐振器各自在缺陷线外的晶胞所拥有的相同声子带隙内具有固有频率。可以存在多于一条缺陷线，并且在这种情况下，MEMS装置可以包括多于一个输入MEMS谐振器和/或多于一个输出MEMS谐振器。
基于缺陷 mems 晶体平板波导

[实用新型]谐振加速度计、用于其的检测结构以及电子装置-CN202222429774.9有效
发明人： V·泽加;G·加特瑞;A·弗兰吉;A·奥普雷尼;M·里亚尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及谐振加速度计、用于其的检测结构以及电子装置。检测结构包括惯性质量块，惯性质量块悬置在衬底上方，并且具有提供在惯性质量块并且在惯性质量块的整个厚度上穿过它的窗口。惯性质量块通过扭转类型的第一锚定弹性元件和第二锚定弹性元件耦合到主锚定件，主锚定件布置在窗口中，并且与衬底一体。检测结构还包括具有纵向延伸的至少第一谐振元件，第一谐振元件耦合在第一弹性元件和布置在窗口中的第一约束元件之间。第一约束元件悬置在衬底上方，通过第一辅助锚定元件固定地耦合到衬底，第一辅助锚定元件在具有纵向延伸的第一谐振元件下方延伸，并且一体地耦合在第一约束元件和主锚定件之间。
谐振加速度计用于检测结构以及电子装置

[发明专利]具有改进的性能的检测结构的Z轴线谐振加速度计-CN202211115999.5在审
发明人： V·泽加;G·加特瑞;A·弗兰吉;A·奥普雷尼;M·里亚尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有改进的性能的检测结构的Z轴线谐振加速度计。检测结构包括惯性质量块，惯性质量块悬置在衬底上方，并且具有提供在惯性质量块并且在惯性质量块的整个厚度上穿过它的窗口。惯性质量块通过扭转类型的第一锚定弹性元件和第二锚定弹性元件耦合到主锚定件，主锚定件布置在窗口中，并且与衬底一体。检测结构还包括具有纵向延伸的至少第一谐振元件，第一谐振元件耦合在第一弹性元件和布置在窗口中的第一约束元件之间。第一约束元件悬置在衬底上方，通过第一辅助锚定元件固定地耦合到衬底，第一辅助锚定元件在具有纵向延伸的第一谐振元件下方延伸，并且一体地耦合在第一约束元件和主锚定件之间。
具有改进性能检测结构轴线谐振加速度计

[发明专利]频率调制MEMS三轴陀螺仪-CN201710443570.1有效
发明人： A·托齐奥;L·G·法罗尼;C·科米;V·泽加 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01C19/5656 文献下载
摘要：一种频率调制MEMS三轴陀螺仪(10)，具有：两个可移动质量块(11A，11B)；第一和第二驱动体(31A，31B)，该第一和第二驱动体通过弹性元件(41A，41B)联接至这些可移动质量块(11A，11B)，这些弹性元件在第一方向(X)上是刚性的并且在横向于该第一方向的第二方向(Y)上是柔顺的；以及第三和第四驱动体(32A，32B)，该第三和第四驱动体通过弹性元件(42A，42B)联接至这些可移动质量块，这些弹性元件在该第二方向上是刚性的并且在该第一方向(X)上是柔顺的。第一和第二驱动元件(59A)联接至该第一和第二驱动体(31A，31B)，用于使得这些可移动质量块在该第一方向上反相地平移。第三和第四驱动元件(63A)联接至该第三和第四驱动体(32A，32B)，用于使得这些可移动质量块在该第二方向上且反相地平移。平面外驱动元件(68A)联接至该第一和第二可移动质量块，用于使得在第三方向(Z)上反相地平移。移动感测电极(60A，64A，69A)根据外部角速度生成频率信号。
频率调制 mems 陀螺仪

[实用新型]频率调制MEMS三轴陀螺仪及电子系统-CN201720686289.6有效
发明人： A·托齐奥;L·G·法罗尼;C·科米;V·泽加 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：一种频率调制MEMS三轴陀螺仪，具有：两个可移动质量块；第一和第二驱动体，通过弹性元件联接至这些可移动质量块，这些弹性元件在第一方向上是刚性的并且在横向于第一方向的第二方向上是柔顺的；以及第三和第四驱动体，通过弹性元件联接至这些可移动质量块，这些弹性元件在第二方向上是刚性的并且在第一方向上是柔顺的。第一和第二驱动元件联接至第一和第二驱动体，用于使得这些可移动质量块在第一方向上反相地平移。第三和第四驱动元件联接至第三和第四驱动体，用于使得这些可移动质量块在第二方向上且反相地平移。平面外驱动元件联接至第一和第二可移动质量块，用于使得在第三方向上反相地平移。移动感测电极根据外部角速度生成频率信号。
可移动质量块联接弹性元件驱动体平移驱动元件反相柔顺三轴陀螺仪频率调制电子系统频率信号移动感测电极外部

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