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[发明专利]MEMS换能器及包括MEMS换能器的电容式麦克风-CN201910631047.0有效
发明人： C·R·詹金斯;T·胡克斯特拉;E·博伊德 -专利权人：思睿逻辑国际半导体有限公司
申请日： 2013-09-19 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本申请涉及MEMS换能器及包括MEMS换能器的电容式麦克风。本申请描述的换能器结构具有被支撑在第一容积和第二容积之间的柔性膜。该换能器结构包括与所述第一容积和第二容积中的至少一个连通的至少一个可变通气部结构，所述可变通气部结构包括至少一个可移动部，所述可移动部响应于该可移动部两侧的压力差而可移动，从而改变穿过所述通气部结构的流动路径的尺寸。该可变通气部可被形成为穿过该膜，且该可移动部可以是该膜的一部分，该部分由一个或多个通道限定，可被偏转远离所述膜的表面。该可变通气部优选地在正常压力差范围内闭合，而在高压力差下打开以提供该膜之上和之下的空气容积的更快速平衡。
mems 换能器包括电容麦克风

[发明专利]MEMS换能器及包括MEMS换能器的电容式麦克风-CN201910630595.1有效
发明人： C·R·詹金斯;T·胡克斯特拉;E·博伊德 -专利权人：思睿逻辑国际半导体有限公司
申请日： 2013-09-19 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本申请涉及MEMS换能器及包括MEMS换能器的电容式麦克风。本申请描述的换能器结构具有被支撑在第一容积和第二容积之间的柔性膜。该换能器结构包括与所述第一容积和第二容积中的至少一个连通的至少一个可变通气部结构，所述可变通气部结构包括至少一个可移动部，所述可移动部响应于该可移动部两侧的压力差而可移动，从而改变穿过所述通气部结构的流动路径的尺寸。该可变通气部可被形成为穿过该膜，且该可移动部可以是该膜的一部分，该部分由一个或多个通道限定，可被偏转远离所述膜的表面。该可变通气部优选地在正常压力差范围内闭合，而在高压力差下打开以提供该膜之上和之下的空气容积的更快速平衡。
mems 换能器包括电容麦克风

[发明专利]MEMS设备以及工艺-CN201480049062.X有效
发明人： C·R·詹金斯;T·胡克斯特拉;S·卡吉尔 -专利权人：思睿逻辑国际半导体有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本申请描述对(MEMS)换能器(100)的改进，所述MEMS换能器具有一个柔性膜(301)，该柔性膜(301)带有膜电极(302)，尤其其中该膜是晶体或多晶且该膜电极是金属或金属合金。这样的换能器典型地可以包括一个具有被耦合至一个背板电极(303)的至少一个背板层(304)的背板，其中该背板电极中的多个孔(314)对应于穿过该背板的多个背板孔(312)。在本发明的实施方案中，该膜电极具有在该膜电极中的至少一个开口(313)，其中所述开口的区域的至少一部分在垂直于该膜的方向上对应于至少一个背板孔的区域，并且在该膜电极中的所述开口处该柔性膜中没有孔。可以有多个这样的开口。所述开口有效地允许减少膜电极材料(例如，金属)的量，该膜电极材料可以经历塑性变形且使该膜永久变形。所述开口至少部分地与背板孔对准以减少任何电容损失。
mems 设备以及工艺

[发明专利]MEMS设备和方法-CN201380060978.0有效
发明人： C·R·詹金斯;T·胡克斯特拉;E·博伊德 -专利权人：思睿逻辑国际半导体有限公司
申请日： 2013-09-19 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本申请涉及MEMS设备，特别地MEMS电容式换能器，且还涉及用于形成这样的MEMS换能器的方法，该MEMS换能器提供对于声学冲击的增强的耐久性和适应性。本申请描述的换能器结构具有被支撑在第一容积(109)和第二容积(110)之间的柔性膜(101)。该换能器结构包括与所述第一容积和第二容积中的至少一个连通的至少一个可变通气部结构(401)，所述可变通气部结构包括至少一个可移动部，所述可移动部响应于该可移动部两侧的压力差而可移动，从而改变穿过所述通气部结构的流动路径的尺寸。该可变通气部可被形成为穿过该膜，且该可移动部可以是该膜的一部分，该部分由一个或多个通道限定，可被偏转远离所述膜的表面。该可变通气部优选地在正常压力差范围内闭合，而在高压力差下打开以提供该膜之上和之下的空气容积的更快速平衡。
通气部可移动部可变换能器结构电容式换能器穿过偏转闭合流动路径通道限定正常压力高压力可移动柔性膜压力差声学优选申请连通响应平衡支撑

[发明专利]集成MEMS换能器-CN201780008749.2在审
发明人： T·胡克斯特拉 -专利权人：思睿逻辑国际半导体有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种MEMS换能器封装件(300)，包括：一个封装盖(313)，包括第一接合区域(316)；以及一个集成电路裸片(309)，包括一个用于与所述封装盖的第一接合区域接合的第二接合区域(314)。所述集成电路裸片(309)包括：一个集成MEMS换能器(311)；以及，与所述集成MEMS换能器电气连接的集成电子电路(312)。所述集成电子电路(312)的占地面积至少与所述集成电路裸片(309)的接合区域(314)重叠。
接合区域集成电路裸片集成电子电路封装盖电气连接接合封装件

[发明专利]MEMS换能器封装件-CN201580076399.4有效
发明人： T·胡克斯特拉;D·T·帕特恩 -专利权人：思睿逻辑国际半导体有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：一种MEMS换能器封装件(1)包括半导体管芯元件(3)和帽元件(23)。该半导体管芯元件(3)和该帽元件(23)具有配合表面(9，21)。该半导体管芯元件(3)和该帽元件(23)被配置为使得，当该半导体管芯元件(3)和该帽元件(4)结合时，第一容积(7，27)被形成为穿过该半导体管芯元件(3)且进入该半导体帽元件(23)内，并且一个声学通道被形成，以在该半导体管芯元件(3)的非配合表面(11)和该换能器封装件的侧表面(10，12)或该帽元件(23)的非配合表面(29)之间提供一个开口。
mems 换能器封装

[实用新型]MEMS换能器和电子设备-CN201320591840.0有效
发明人： C·R·詹金斯;T·胡克斯特拉;E·J·博伊德 -专利权人：沃福森微电子股份有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H04R23/00 文献下载
摘要：本申请涉及MEMS换能器和电子设备，该MEMS换能器提供对于声学冲击的增强的耐久性和适应性。本申请描述了一种换能器结构，该换能器结构具有被支撑在第一容积（109）和第二容积（110）之间的柔性膜（101）。该换能器结构包括与第一容积和第二容积中的至少一个连通的至少一个可变通气部结构（401），该可变通气部结构包括至少一个可移动部，所述可移动部响应于该可移动部两侧的压力差而可移动，从而改变穿过所述通气部结构的流动路径的尺寸。该可变通气部可被形成为穿过该膜，且该可移动部可以是该膜的一部分，该部分由一个或多个通道限定，可被偏转远离所述膜的表面。
mems 换能器电子设备

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