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[发明专利]热电转换装置-CN201980017658.4在审
发明人： A·G·肖尼克;P-Y·毕盛;W·G·A·范·斯海克 -专利权人： RGS发展有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L35/22 文献下载
摘要：一种热电装置，其包括有源元件，该有源元件含有硅、硅合金、金属‑硅化物或硅复合物的热电材料；以及互连区域，其由互连金属和由来自有源热电元件的材料组成的重结晶相组成。互连金属来自在固态下不形成金属硅化物的金属，在液相中对于热电元件的组分具有一定的溶解度，并且在固相中这些组分具有较低的溶解度。有源热电元件被成形为具有第一接触界面和第二接触界面。不同热电元件之间的互连由至少两相材料组成，其中一相主要是金属互连材料，另一相由热电材料的重结晶组分形成。
热电转换装置

[发明专利]用于生产半导体材料箔的装置和方法-CN201180011045.3有效
发明人：阿克塞尔·乔治·舍内克尔;皮埃尔-伊夫·毕勋;伊尔柯·盖尔伯特·霍克;埃里克·德伊格尔 -专利权人： RGS发展有限公司
申请日： 2011-02-08 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B28/10 文献下载
摘要：一种用于生产半导体材料箔的铸造设备，包括铸造框架和基片带。铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁，侧壁的出口侧壁位于半导体材料箔的输出位置处。出口侧壁设有出口缝。铸造设备还包括局部力施加装置，以在出口缝的位置处将局部增大的外力施加在熔化的半导体材料上，以使作用在出口缝处的熔化材料上的外部压力增大。
用于生产半导体材料装置方法