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[发明专利]对BJT电流镜的基极电流补偿-CN201710399144.2有效
发明人： R·普罗查兹卡;张志荣 -专利权人：意法设计与应用股份有限公司;意法半导体亚太私人有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开涉及对BJT电流镜的基极电流补偿。例如，一种电流镜电路包括输入电流引脚和输出电流引脚。该输入电流引脚包括：第一双极结型晶体管(BJT)，该BJT具有被配置成用于接收源自电流节点处的输入电流的集电极端子；以及第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，该MOSFET具有耦合至该电流节点的栅极端子以及耦合至该第一BJT的基极端子的源极端子。该输出电流引脚包括：第二BJT，该第二BJT具有被配置成用于供应输出电流的集电极端子；以及第二MOSFET，该第二MOSFET具有耦合至该电流节点的栅极端子以及耦合至该第二BJT的基极端子的源极端子。
bjt 电流基极补偿

[实用新型]电流镜电路-CN201720623366.3有效
发明人： R·普罗查兹卡;张志荣 -专利权人：意法设计与应用股份有限公司;意法半导体亚太私人有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开涉及电流镜电路。例如，一种电流镜电路包括输入电流引脚和输出电流引脚。该输入电流引脚包括第一双极结型晶体管(BJT)，该BJT具有被配置成用于接收源自电流节点处的输入电流的集电极端子；以及第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，该MOSFET具有耦合至该电流节点的栅极端子以及耦合至该第一BJT的基极端子的源极端子。该输出电流引脚包括第二BJT，该第二BJT具有被配置成用于供应输出电流的集电极端子；以及第二MOSFET，该第二MOSFET具有耦合至该电流节点的栅极端子以及耦合至该第二BJT的基极端子的源极端子。
电流电路