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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高温蒸汽输送系统以及方法-CN201610814116.8有效
发明人： V·巴巴扬;Q·梁;T·考夫曼-奥斯本;L·戈代;S·D·耐马尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本公开大体上涉及一种半导体处理装置。在一个实施方式中，在本文中公开一种处理腔室。所述处理腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和盖限定内部容积，所述盖被配置成支撑具有帽的外壳；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中；蒸发器，所述蒸发器被耦接至所述帽并且具有通向所述处理腔室的所述内部容积的出口，其中所述蒸发器被配置成将前驱物气体输送至所述蒸发器与所述基板支撑件之间限定的处理区域；以及加热器，所述加热器被设置成与所述蒸发器相邻，其中所述加热器被配置成加热所述蒸发器。
高温蒸汽输送系统以及方法

[发明专利]绝缘体上覆硅背侧触点-CN201980035678.4有效
发明人： S·格克泰佩里;G·P·伊姆森;Y·H·楚;Q·梁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：在某些方面，一种装置包括：在背绝缘层上具有作为源极或漏极的扩散区的SOI MOSFET，其中该扩散区具有前扩散侧以及与该前扩散侧相对的背扩散侧；在该前扩散侧上具有面向该扩散区的背硅化物侧以及与该背硅化物侧相对的前硅化物侧的硅化物层；以及连接至该硅化物层的背侧触点，其中该背侧触点的至少一部分在该背绝缘层中。
绝缘体上覆硅背侧触点

[发明专利]具有旋转微波等离子体源的工件处理腔室-CN202011126145.8在审
发明人： M·W·斯托威尔;Q·梁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在具有微波等离子体源的处理反应器中，微波辐射器被安装于旋转微波耦合件上，以用于连续的旋转。
具有旋转微波等离子体工件处理

[发明专利]具有旋转微波等离子体源的工件处理腔室-CN201580029271.2有效
发明人： M·W·斯托威尔;Q·梁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在具有微波等离子体源的处理反应器中，微波辐射器被安装于旋转微波耦合件上，以用于连续的旋转。
具有旋转微波等离子体工件处理

[发明专利]可变电容器平带电压工程-CN201880086382.0在审
发明人： F·A·马里诺;N·卡尼克;F·卡洛波兰蒂;P·梅内格利;Q·梁 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了半导体可变电容器。一个示例半导体可变电容器通常包括半导体区，绝缘层和第一非绝缘区，该绝缘层被布置在半导体区与第一非绝缘区之间。在某些方面，半导体可变电容器还可包括毗邻于半导体区布置的第二非绝缘区和毗邻于半导体区布置的第三非绝缘区，第二非绝缘区和第三非绝缘区具有不同掺杂类型。在某些方面，半导体可变电容器还可包括在半导体区与绝缘层之间布置的注入区。注入区可用于调整半导体可变电容器的平带电压。
可变电容器电压工程

[发明专利]预防或治疗由辐射或放射疗法引起的辐射诱发的旁观者效应的组合物和方法-CN201880060319.X在审
发明人： D·薛;Y·彭;M·张;L·J·郑;Q·梁;H·Z·李;J-S·于;J-T·陈 -专利权人：科罗拉多大学评议会
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： A61K38/17 文献下载
摘要：本发明提供用于治疗由辐射暴露引起的辐射诱发的旁观者效应(RIBE)的新颖的组合物和方法。在一个优选的实施方案中，本发明包括新颖的治疗剂，包含但不限于槲皮素和槲皮素的类似物、以及干扰组织蛋白酶B活性的E64、CA074、CA074Me。
预防治疗辐射放射疗法引起诱发旁观者效应组合方法

[发明专利]热稳定多晶硬质材料与钎焊材料之间的化学强化粘结-CN201480083223.7有效
发明人： G·塞尼;Q·梁 -专利权人：哈里伯顿能源服务公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： E21B10/42 文献下载
摘要：任选地与物理方法结合的化学方法可以用于增加由多晶材料与硬质复合材料之间的钎焊材料形成的粘结强度。钎焊到硬质复合材料的此类多晶材料可以在各种井筒工具、包括钻头刀具中找到。一种示例性方法可包括：在包含硬质材料的多晶材料主体的粘结表面上形成粘结层，所述粘结表面与所述多晶材料主体的接触表面相对，并且所述粘结层基本上由所述硬质材料的[111]晶体结构、所述硬质材料的[100]晶体结构或其组合形成；以及使用钎焊材料将所述粘结层钎焊到硬质复合材料。
稳定多晶硬质材料钎焊之间化学强化粘结

[发明专利]用于半导体设备的密封槽方法-CN201480044379.4有效
发明人： D·卢博米尔斯基;Q·梁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种其中形成有密封槽的表面。该密封槽被配置成接受弹性体密封件。该密封槽包括第一部分，该第一部分具有完整的燕尾轮廓，以及至少第二部分，该第二部分具有半燕尾轮廓。
用于半导体设备密封方法

[发明专利]表达人λ免疫球蛋白轻链可变结构域的动物-CN201380027944.1有效
发明人： A·布拉德利;E-C·李;Q·梁;W·王;D·斯彭斯伯杰;H·刘;J·克拉贝 -专利权人：科马布有限公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C12N15/85 文献下载
摘要：本发明公开了产生嵌合人‑非人抗体和嵌合抗体链的方法，如此产生的抗体和抗体链及其衍生物，包括完全人源化抗体；包含所述抗体、抗体链和衍生物的组合物，以及适用于所述方法的细胞、非人哺乳动物和载体。
表达免疫球蛋白可变结构动物

[发明专利]具有梯度界面层的聚晶金刚石复合片-CN201580078046.8在审
发明人： A·C·常;G·塞尼;Q·梁;P·B·莱弗利;W·B·阿特金斯 -专利权人：哈里伯顿能源服务公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本公开涉及一种聚晶金刚石复合片(PDC)，其包括位于热稳定金刚石(TSP)台与基底之间的梯度界面层，所述基底诸如基材或钻地钻头体。所述梯度界面层具有介于所述金刚石的热膨胀系数与所述基底的热膨胀系数之间的热膨胀系数梯度。本公开还涉及形成梯度界面层和含有这种层的PDC的方法。
具有梯度界面金刚石复合

[发明专利]热稳定多晶硬质材料与硬质复合材料之间的机械强化粘结-CN201480083224.1在审
发明人： G·塞尼;Q·梁 -专利权人：哈里伯顿能源服务公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： E21B10/42 文献下载
摘要：由多晶硬质材料与硬质复合材料之间的钎焊材料形成的粘结强度可以物理方式增强。例如，一种物理增强方法可包括蚀刻多晶材料主体的粘结表面，以便在所述多晶材料主体的所述粘结表面上产生合成形貌特征，所述粘结表面与所述多晶材料主体的接触表面相对；以及使用钎焊材料将所述多晶材料主体的具有所述合成形貌特征的所述粘结表面钎焊到硬质复合材料的粘结表面。
稳定多晶硬质材料复合材料之间机械强化粘结

[发明专利]用于处理晶片及清洁腔室的感应等离子体源-CN201280034888.X无效
发明人： Q·梁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明描述用于在基板上沉积材料的方法及系统。一种方法可包括以下步骤：提供处理腔室，该处理腔室分隔成第一等离子体区域及第二等离子体区域。方法可进一步包括以下步骤：将基板输送至处理腔室，其中该基板可占据第二等离子体区域的一部分。方法可额外包括以下步骤：在第一等离子体区域中形成第一等离子体，其中该第一等离子体可能未直接接触基板，且该第一等离子体可通过启动第一等离子体区域上方的至少一个成形的射频（「RF」）线圈形成。此外，方法可包括以下步骤：在基板上沉积材料以形成层，其中受第一等离子体激发的一或更多种反应物可用于沉积该材料。
用于处理晶片清洁感应等离子体

[发明专利]使用电容耦合式等离子体的半导体处理系统及方法-CN201180065903.2无效
发明人： J-G·杨;M·L·米勒;X·陈;祝基恩;Q·梁;S·文卡特拉马;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明所描述的基板处理系统具有定位于处理腔室内部的电容耦合式等离子体(CCP)单元。CCP单元可包括在第一电极与第二电极之间形成的等离子体激发区域。第一电极可包括多个第一开孔以准许第一气体进入等离子体激发区域，且第二电极可包括多个第二开孔以准许活性气体离开等离子体激发区域。系统可进一步包括气体入口及基座，气体入口用于供应第一气体至CCP单元的第一电极，基座可操作以支撑基板。基座定位在气体反应区域下方，活化气体从CCP单元前进进入气体反应区域。
使用电容耦合等离子体半导体处理系统方法

[发明专利]用于具流动性的介电质的制造设备及工艺-CN200980117582.9无效
发明人： D·卢博米尔斯基;Q·梁;J·G·杨 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：在此揭露多种基材工艺系统，此系统可包含一工艺腔室，其具有一内部空间，该内部空间可将内腔压与外腔压保持不同。上述系统亦可包含远程等离子体系统，其可操作以在工艺腔室的内部空间之外产生等离子体。此外，上述系统可包含一第一工艺气体通道，其可操作以将第一工艺气体由远程等离子体系统输送至工艺腔室内部空间中；以及一第二工艺气体通道，其可操作以输送未经远程等离子体系统处里的第二工艺气体。上述第二工艺气体通道具有一末端，其开口朝向上述工艺腔室的内部空间中，且该末端至少部分由该第一工艺气体通道所围绕。
用于流动性介电质制造设备工艺

[发明专利]填充介电质间隙的制程室-CN200780000644.9有效
发明人： D·卢波米芮基;Q·梁;S·帕克;K·N·查克;E·伊哈 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明是揭露一种用于自介电前驱物的等离子而在基材上形成介电层的系统。该系统包括：一沉积室；一位于沉积室中以支托基材的基材座；以及一耦合至沉积室的远程等离子产生系统，其中该等离子产生系统是用以产生包括一或多种反应性自由基的一介电前驱物。该系统更包括一照射加热系统以加热基材，该加热系统包括至少一光源，其中由光源所发射出的至少部分光线在到达基材之前，是行经沉积室的顶侧。该系统亦包括一前驱物分配系统，以将反应性自由基前驱物及额外的介电前驱物导入沉积室中。亦可包括一原位(in－situ)等离子产生系统，以在沉积室中由供应至沉积室的介电前驱物而产生等离子。
填充介电质间隙制程室

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