“P·赫斯塔德”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种嵌段共聚物制剂及其相关方法-CN201410043564.3有效
发明人： P·赫斯塔德;P·特雷福纳斯;顾歆宇;张诗玮;V·靳兹伯格;E·沃格尔;D·默里 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌段共聚物制剂及其相关方法，提供了包含嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物制剂，所述嵌段共聚物共混物包括第一聚（丙烯酸酯）‑嵌段‑聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物、和第二聚（丙烯酸酯）‑嵌段‑聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段共聚物。还提供了用所述嵌段共聚物制剂处理的基材。
嵌段共聚物嵌段共聚物共混物丙烯酸甲硅烷基酯丙烯酸酯嵌段制剂处理基材

[发明专利]嵌段共聚物组合物及其相关方法-CN201410043817.7有效
发明人： P·特雷福纳斯;P·赫斯塔德;顾歆宇;E·沃格尔;V·靳兹伯格;张诗玮;D·默里 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C08L53/00 文献下载
摘要：本发明涉及嵌段共聚物组合物及其相关方法，提供了一种共聚物组合物，该共聚物组合物包括具有聚（丙烯酸酯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的数均分子量M_N是1-1000千克/摩尔；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1-2。还提供了用所述共聚物组合物处理的基材。
共聚物组合及其相关方法

[发明专利]一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法-CN201410043788.4有效
发明人： P·特雷福纳斯;P·赫斯塔德;顾歆宇;E·沃格尔;V·靳兹伯格;张诗玮;D·默里 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C08L53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法，提供了一种共聚物组合物，该共聚物组合物包括具有聚（苯乙烯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的数均分子量M_N是1-1000千克/摩尔；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1-2。还提供了用所述共聚物组合物处理的基材。
一种导向组装共聚物组合及其相关方法

[发明专利]高温热退火方法-CN201310435005.2有效
发明人：顾歆宇;张诗玮;P·赫斯塔德;J·温霍尔德;P·特雷福纳斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C09D7/00 文献下载
摘要：高温热退火方法。一种用于加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg/mol；和，抗氧化剂；施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面；任选地，烘焙上述薄膜；通过在275到350℃和气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜；和，处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚(苯乙烯)嵌段和将退火薄膜中的聚(硅氧烷)嵌段转换成SiOx。
温热退火方法

[发明专利]热退火工艺-CN201310434981.6有效
发明人： P·赫斯塔德;顾歆宇;张诗玮;J·温霍尔德;P·特雷福纳斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C09D7/00 文献下载
摘要：热退火工艺。提供了一种用于加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量是5到1,000kg／mol；和，抗氧化剂，其中共聚物组合物包含＞2wt％的抗氧化剂，基于嵌段共聚物组分的重量；施加上述共聚物组合物的薄膜到基材表面；任选地，烘焙上述薄膜；通过在240到350℃和包含＞20wt％O2的气体气氛下加热薄膜1秒钟到4小时来退火上述薄膜；和，处理上述退火薄膜以从退火薄膜中除去聚(苯乙烯)嵌段和将退火薄膜中的聚(硅氧烷)嵌段转换成SiOx。
退火工艺

[发明专利]热退火工艺-CN201310201760.4有效
发明人：张诗玮;J·温霍尔德;P·赫斯塔德;P·特雷福纳斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C09D7/00 文献下载
摘要：热退火工艺。提供一种加工基材的方法，所述方法包括：提供具有表面的基材；提供共聚物组合物，所述共聚物组合物包括聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分，其中聚(苯乙烯)-b-聚(二甲基硅氧烷)嵌段共聚物组分的数均分子量为25-1000kg/mol；应用共聚物组合物的薄膜至基材的表面；任选地，烘烤薄膜；在具有氧气浓度≤7.5ppm的气态气氛下在275-350℃加热该薄膜1秒至4小时；和，处理该退火了的薄膜以从该退火了的薄膜上除去聚(苯乙烯)和将该退火了的薄膜中的聚(二甲基硅氧烷)转换成SiOx。
退火工艺

[发明专利]混合的嵌段共聚物组合物-CN201310209163.6有效
发明人：张诗玮;V·靳兹伯格;E·沃格尔;D·默里;P·特雷福纳斯;P·赫斯塔德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C08L53/00 文献下载
摘要：混合的嵌段共聚物组合物。提供一种嵌段共聚物组合物，所述嵌段共聚物组合物包括：二嵌段共聚物混合物，所述二嵌段共聚物混合物包括：第一聚(甲基丙烯酸甲酯)-b-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物(“DB1”)，其具有10-1000kg/mol的DB1数均分子量，MN-DB1；1-3的DB1多分散性，PDDB1；和，第二聚(甲基丙烯酸甲酯)-b-聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)二嵌段共聚物(“DB2”)，其具有1-1000kg/mol的DB2数均分子量，MN-DB2；1-3的DB2多分散性，PDDB2。
混合共聚物组合

[发明专利]嵌段共聚物和与其相关的方法-CN201310209165.5有效
发明人： E·沃格尔;V·靳兹伯格;张诗玮;D·默里;P·赫斯塔德;P·特雷福纳斯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C08L53/00 文献下载
摘要：嵌段共聚物和与其相关的方法。提供一种共聚物组合物，所述共聚物组合物包括：具有(甲基丙烯酸甲酯)嵌段和聚(甲基丙烯酸(三甲基甲硅烷基)甲酯)嵌段的嵌段共聚物；其中该嵌段共聚物表现出1-1000kg/mol的数均分子量，MN；和，其中该嵌段共聚物表现出1-2的多分散性，PD。
共聚物与其相关方法