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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括双应力源的N沟道MOSFET及其制造方法-CN200780018308.7有效
发明人： J·H·李;Y·刘;骆志炯;A·马登;N·罗韦多 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括至少一个n-沟道场效应晶体管(n-FET)的半导体器件。具体而言，所述n-FET包括第一和第二构图的应力源层，所述第一和第二构图的应力源层均包含碳替位和拉伸应力的单晶半导体。所述第一构图的应力源层具有第一碳浓度并位于所述n-FET的源极和漏极(S/D)扩展区域中的第一深度处。所述第二构图的应力源层具有第二较高的碳浓度并位于所述n-FET的S/D区域中的第二较深的深度处。这样的具有不同碳浓度和不同深度的所述第一和第二构图的应力源层的n-FET提供了用于增强所述n-FET的沟道区域中的电子迁移率的改善的应力分布。
包括应力沟道 mosfet 及其制造方法

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