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[实用新型]存储器单元及存储器-CN202220841046.6有效
发明人： F·梅鲁尔;A·马扎基;M·阿克巴尔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本公开涉及存储器单元及存储器。在实施例中，存储器单元包括与第二导电类型的第二掺杂阱接触的第一导电类型的第一掺杂阱，第二导电类型与第一导电类型相反，与第一导电类型的第四掺杂阱接触的第二导电类型的第三掺杂阱，与第二阱和第四阱接触的第一壁，第一壁包括导电的或半导体芯和绝缘护套，层的堆叠包括至少部分覆盖第二阱和第四阱的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层，以及位于第二阱和第四阱以及第一壁下方的第三半导体层。本实用新型的技术提供了改进性能的存储器单元和存储器，能够独立于阵列的行和阵列的列的其他单元擦除每个单元，并且提高了可靠性。
存储器单元

[发明专利]沟槽存储器中位可擦嵌入式选择-CN202210382257.2在审
发明人： F·梅鲁尔;A·马扎基;M·阿克巴尔 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本公开涉及沟槽存储器中位可擦嵌入式选择。在实施例中，存储器单元包括与第二导电类型的第二掺杂阱接触的第一导电类型的第一掺杂阱，第二导电类型与第一导电类型相反，与第一导电类型的第四掺杂阱接触的第二导电类型的第三掺杂阱，与第二阱和第四阱接触的第一壁，第一壁包括导电的或半导体芯和绝缘护套，层的堆叠包括至少部分覆盖第二阱和第四阱的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层，以及位于第二阱和第四阱以及第一壁下方的第三半导体层。
沟槽存储器中位可擦嵌入式选择