“M·南达库玛”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有通过栅植入的深N阱的晶体管-CN201410095439.7有效
发明人： M·南达库玛 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请涉及具有通过栅植入的深N阱的晶体管。一种制造CMOS集成电路(IC)的方法(300)，该方法包括：在上面具有第一栅堆的衬底的露出衬底表面的p区域的第一掩模级植入第一n型杂质以形成NLDD区域，用于IC上的多个n沟道MOS(NMOS)晶体管的至少一部分形成n源/漏扩展区域(304(a))。在上面具有第二栅堆的衬底表面中露出n区域的第二掩模级植入p型杂质，以形成针对IC上的多个p沟道MOS(PMOS)晶体管的至少一部分的PLDD区域。逆向植入第二n型杂质(306)，包括通过第一栅堆以形成用于NMOS晶体管的一部分的深的n阱(DN阱)。与NLDD区域下方的相比，DN阱在第一栅堆下方的深度较浅。
具有通过植入晶体管

1
共 1 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top