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[发明专利]半导体处理腔室-CN202080070212.0在审
发明人： G·托兰;K·D·沙茨;L·卡琳塔;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统可包含被配置为支撑半导体基板的基座。基座可以作为第一等离子体产生电极操作。系统可包含限定径向容积的盖板。系统可包含用盖板支撑的面板。面板可以作为第二等离子体产生电极操作。等离子体处理区域可以在由面板限定的径向容积内被限定在基座与面板之间。面板可限定多个第一孔。系统可包含定位在面板与基座之间的喷头。喷头可限定多个第二孔，所述多个第二孔包含比多个第一孔更多数量的孔。
半导体处理

[发明专利]具有导电电极的陶瓷喷头-CN201980088573.5在审
发明人：陈天发;S·辛格;L·卡琳塔;S·朴;D·卢博米尔斯基;L·罗;T·W·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通道。第二环形通道可以从第一环形通道径向向外形成。喷头还可包括嵌入在介电板内并围绕多个孔延伸而不会被孔暴露的导电材料。导电材料可在第二环形通道处暴露。
具有导电电极陶瓷喷头

[发明专利]处理腔室的耐腐蚀接地屏蔽件-CN201980080531.7在审
发明人： D·卢博米尔斯基;贺小明;J·Y·孙;邬笑炜;L·卡琳塔;S·朴 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：基板支撑组件包括接地屏蔽件和被接地屏蔽件围绕的加热器。接地屏蔽件包括板。在一个实施例中，接地屏蔽件由陶瓷主体构成，并且包括导电层、在板的上表面上的第一保护层。在另一个实施例中，接地屏蔽件由导电主体和板的上表面上的第一保护层构成。
处理腐蚀接地屏蔽

[发明专利]在铝等离子体装备部件上生成紧密的氧化铝钝化层-CN201580016760.4有效
发明人： S·J·金;L·卡琳塔;Y·帕里克;A·卡达姆;P·S·古拉迪雅;B·塔库尔;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-18 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：用于在铝部件上生成紧密的氧化铝钝化层的工艺包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；干燥此部件达至少1分钟；以及在低于10℃的温度下，将此部件暴露于浓硝酸达1至30分钟。所述工艺也包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；干燥此部件达至少1分钟；以及将此部件暴露于NH4OH达1秒至1分钟。所述工艺进一步包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；以及干燥此部件达至少1分钟。用于等离子体处理系统的部件包括铝部件，所述铝部件涂覆有AlxOy膜，所述AlxOy膜具有4纳米至8纳米的厚度，并且所述AlxOy膜的表面粗糙度比不具有所述AlxOy薄膜的部件的表面粗糙度增加少于0.05微米。
等离子体装备部件生成紧密氧化铝钝化