“J·基尔科特”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]移动传感器-CN201621269171.5有效
发明人： A·J·布桑;J·基尔科特;J·斯托尔富斯;J·张 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G01P3/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种移动传感器。所述移动传感器包括多极环形磁体、半导体衬底、形成在半导体衬底上的第一磁传感器和形成在半导体上的第二磁传感器。第一磁传感器被配置为响应于多极环形磁体的移动来产生第一输出信号，并且第一磁传感器的质心和第二磁传感器的质心是分离的并且相对于多极环形磁体在半导体衬底上被径向对准。第二磁传感器相对于第一磁传感器以预定角度来布置，并且被配置为响应于多极环形磁体的移动来产生第二输出信号。预定角度是0°和90°之间的唯一值，并且预定角度被配置为响应于多极环形磁体的移动来产生第一和第二输出信号之间在相位上的差异。
移动传感器

[发明专利]360度角传感器-CN201210119991.6有效
发明人： P·A·小霍尔曼;J·基尔科特 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：本公开涉及360度角传感器。本公开涉及用于磁场角位置感测的技术。依据本公开设计的设备可包括磁阻传感器，被配置为产生指示磁场角位置的信号，该信号具有180度的角度范围，第一极性传感器，被配置为产生指示从第一位置感测的磁场极性的信号，以及第二极性传感器，被配置为产生指示从不同于该第一位置的第二位置所感测的磁场极性的信号。
360 传感器

[发明专利]360度角解码器-CN201210120107.0有效
发明人： J·基尔科特 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2012-03-01 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H03M7/00 文献下载
摘要：公开了360度角解码器。本公开针对解码两个或更多信号的技术，该信号关于参数值正弦地变化以产生关于该参数值线性变化的解码的信号。该技术可以包括接收第一信号和第二信号，所述第一信号根据具有周期和第一相位的第一正弦曲线函数关于参数值变化，所述第二信号根据具有所述周期和不同于所述第一相位的第二相位的第二正弦曲线函数关于所述参数值变化。该技术可以进一步包括使用所述第一信号、所述第二信号和偏移值执行一个或多个算术运算，以产生对于所述第一信号和所述第二信号的周期的至少一半关于所述参数值线性变化的第三信号。
360 解码器

[其他]磁场传感设备-CN201490000661.8有效
发明人： J·基尔科特;R·A·戴维斯 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本装置方法涉及磁场传感设备。依照示例性的实施例，一种MRSD包括下面的半导体设备和磁阻传感器。在一些示例性的实施例中，半导体设备经过大部分标准处理流程处理。在标准处理流程之后，在各个实施例中，可执行平坦化步骤以创建更加平坦的顶部表面。在一些实施例中，磁阻材料(其可由镍铁合金、所谓的坡莫合金制成)被沉积在平坦表面上。互连金属化层也可位于该顶部区域中。磁阻材料可以经由平坦化表面中的接触开口接触半导体设备的最顶部的金属化层。在一些实施例中，磁阻材料可以类似地通过这些接触开口接触最顶部的金属化层。磁阻材料直接位于下面的电路上方。
磁场传感设备

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top