专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]层叠塑封装置-CN202210343071.6在审
  • 罗赫辉;黄镐石;安商勋;朴载邱;李恩斌;金相大;张东镇 - ITM半导体有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-12-13 - H01L21/56
  • 本发明一实施例提供的层叠塑封装置,包括:上模,其形成有作为树脂材料的移动通道的第一浇道(runner)和第一浇口(gate);第一中板,其形成于所述上模的下部且与所述上模结合,内部形成有第一塑封部,所述第一塑封部与所述第一浇口连接且能够塑封布置于下部的第一基板上部的至少一部分;虚设板(dummy plate),其与所述第一中板下部相隔一定距离地设置;第二中板,其形成于所述虚设板的下部,内部形成有第二塑封部,所述第二塑封部与所述第二浇口连接且能够塑封布置于所述虚设板下部的所述第二基板下部的至少一部分;以及下模,其形成有作为所述树脂材料的移动通道的第二浇道和第二浇口,且设置为与所述第二中板结合。
  • 层叠塑封装置
  • [发明专利]双重加热方式的电子烟用发热装置和方法及电子烟-CN202110891869.X在审
  • 罗赫辉;黄镐石;林相燮;宋致善;朴成范 - ITM半导体有限公司
  • 2021-08-04 - 2022-04-22 - A24F40/465
  • 本发明涉及一种双重加热方式的电子烟用发热装置和方法及电子烟,在初期以直接以加热方式可迅速地加热卷烟等被加热体,然后以感应加热方式能够维持温度的同时降低消耗电量,从而可获得最佳的加热效率,所述双重加热方式的电子烟用发热装置可包括发热体,其为了能够对被加热体进行加热,以对应所述被加热体的至少一部分的形状形成;第一加热器,其与所述发热体热接触,且以电阻加热方式对所述发热体进行加热;第二加热体,其与所述发热体相隔一定距离地设置,且以感应加热方式对所述发热体进行加热;以及绝缘部件,其设置于所述第一加热器与所述第二加热体之间。
  • 双重加热方式电子发热装置方法
  • [发明专利]电池保护电路模块及包括该模块的电池组-CN201680043804.7有效
  • 罗赫辉;黄镐石;金荣奭;安商勋 - ITM半导体有限公司
  • 2016-08-11 - 2021-05-25 - H02J7/00
  • 根据本发明一观点的电池保护电路模块包括第一阳极端子和第一阴极端子,其与电池裸电池的电极端子电连接;第二阳极端子和第二阴极端子,其与充电器或者电子设备电连接;单一场效应晶体管,其包括漏极端子、源极端子、栅极端子及阱端子,所述漏极端子与所述第一阴极端子电接触,所述源极端子与所述第二阴极端子电接触;以及保护集成电路元件,其通过控制所述栅极端子控制所述单一场效应晶体管的开关,并通过利用内部开关元件控制所述阱端子的偏置,从而控制所述电池裸电池的充电放电。
  • 电池保护电路模块包括电池组
  • [发明专利]保护用IC和半导体集成电路-CN201710545608.6有效
  • 安部修平;罗赫辉;黄镐石;金荣奭;安商勋 - 三美电机株式会社;ITM半导体有限公司
  • 2017-07-06 - 2020-10-30 - H02J7/00
  • 本发明提供一种保护用IC和半导体集成电路。该保护用IC藉由对被插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池,其具有与所述MOS晶体管的背栅连接的偏置输出端子、在所述负载和所述MOS晶体管之间与述电源路径连接的负载侧端子、被插入连接所述偏置输出端子和所述负载侧端子的电流路径上的负载侧开关、及基于所述二次电池的状态使所述负载侧开关动作以使对所述背栅的电位进行控制的背栅控制信号从所述偏置输出端子输出的控制电路。所述负载侧开关形成在N型硅基板上,并至少包括漏极相互连接了的2个NMOS晶体管,所述控制电路基于所述二次电池的状态使所述2个NMOS晶体管一起打开或关闭。
  • 保护ic半导体集成电路
  • [发明专利]电池保护电路模块及包括其的电池组-CN201680043806.6有效
  • 罗赫辉;黄镐石;金荣奭;安商勋 - ITM半导体有限公司
  • 2016-08-11 - 2019-10-15 - H02H7/18
  • 根据本发明一观点的电池保护电路模块,其包括:第一阳极端子和第一阴极端子,与电池裸电池的电极端子电连接;第二阳极端子和第二阴极端子,与充电器或者电子仪器电连接;第一保护电路单元,其包括第一单一场效应晶体管和第一保护集成电路元件,所述第一单一场效应晶体管在所述第一阳极端子或者第一阴极端子中至少一个与所述第二阳极端子和第二阴极端子中至少一个之间接触,所述第一保护集成电路元件用于控制所述第一单一场效应晶体管;以及第二保护电路单元,其包括第二单一场效应晶体管和第二保护集成电路元件,所述第二单一场效应晶体管在所述第一阳极端子或者第一阴极端子中至少一个与所述第二阳极端子及第二阴极端子中至少一个之间接触,所述第二保护集成电路元件用于控制所述第二单一场效应晶体管。
  • 电池保护电路模块包括电池组
  • [发明专利]二次电池保护电路-CN201710545403.8有效
  • 安部修平;罗赫辉;黄镐石;金荣奭;安商勋 - 三美电机株式会社;ITM半导体有限公司
  • 2017-07-06 - 2019-06-07 - H02H7/18
  • 本发明提供一种二次电池保护电路,其具有:在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子;在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子;与MOS晶体管的栅极连接的第3端子;与MOS晶体管的背栅连接的第4端子;基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关;及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。
  • 二次电池保护电路

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