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[发明专利]用于制造单晶的晶体、特别是蓝宝石的方法-CN202180088104.0在审
发明人： G·巴巴里;R·艾伯纳;J·K·帕克;G·森 -专利权人：法梅泰克有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造单晶的晶体、特别是蓝宝石的方法，其中，将单晶的种晶设置在具有柱体外罩形的坩埚壁(4)的坩埚(3)的底部区域中或构成所述坩埚(3)的底部并且将所述种晶的结晶学的c轴对应于所述坩埚的沿坩埚壁的高度方向延伸的纵轴线地定向，接着在所述种晶之上在所述坩埚中设置和熔化基础材料，通过在熔化的基础材料与所述种晶之间的边界层上的结晶沿所述c轴的方向逐步地进行晶体生长。
用于制造晶体特别是蓝宝石方法

[发明专利]用于生长人工制造的单晶、特别是蓝宝石单晶的装置-CN202180088170.8在审
发明人： G·巴巴里;R·艾伯纳;J·K·帕克;G·森 -专利权人：法梅泰克有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长至少一种人工制造的单晶、特别是蓝宝石单晶的装置(1)，该装置包括：——至少一个坩埚壁(4)，所述坩埚壁(4)具有敞开的第一端部区域(5)和在纵轴线(7)的方向上与所述第一端部区域间隔开距离地设置的底部侧的第二端部区域(6)，其中，在关于所述纵轴线(7)的横截面中看由所述至少一个坩埚壁(4)限定坩埚壁内表面(8)，并且在坩埚壁厚度(10)方面与所述坩埚壁内表面间隔开距离地限定坩埚壁外表面(9)，——至少一个坩埚底部(12)，所述坩埚底部(12)布置在底部侧的第二端部区域(6)中，并且由所述坩埚壁(4)和所述坩埚底部(12)限定用于形成单晶的容纳空间(11)，其中，所述坩埚壁(4)在其整个延伸上具有保持不变的导热能力和/或相同的机械特性。
用于生长人工制造特别是蓝宝石装置

[发明专利]具有热包罩单元的、用于生长晶体的装置-CN202180065856.5在审
发明人： K·阿里亚旺;G·巴巴里;R·艾伯纳;熊治勇 -专利权人：艾伯纳工业炉公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长晶体的装置(200)，其包括坩埚(201)和包围该坩埚的用于对坩埚(201)进行隔热的包罩单元(206)。借助该保持单元(207)，包罩单元(206)在坩埚上被保持在其相对于坩埚(201)的相对位置中。所述保持单元(207)包括至少一个构造成细长的、优选易弯曲的保持元件(208)，该保持元件具有第一和第二端部区段(209、210)。保持元件(208)将包罩单元(206)在背离坩埚(201、301)的侧面上在周向上包围并且贴靠在包罩单元上。所述两个端部区段(209、210)相互耦联，由保持元件(208)施加沿径向方向作用在包罩单元(206)上的保持力。
具有热包罩单元用于生长晶体装置

[发明专利]用于制备碳化硅单晶的装置-CN202180066006.7在审
发明人： K·阿里亚旺;G·巴巴里;R·艾伯纳;熊治勇 -专利权人：艾伯纳工业炉公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于由碳化硅制备单晶的装置，所述装置具有炉(401)和被接纳在所述炉(401)中的带有坩埚(403)和籽晶(405)的室(402)，在所述坩埚(403)中设置有包含碳化硅的初始材料(407)中，其中，所述初始材料(407)包含由碳化硅粉末(411)和碳化硅块(410)组成的混合物。
用于制备碳化硅装置

[发明专利]用于培育晶体的方法-CN202180065859.9在审
发明人： K·阿里亚旺;G·巴巴里;R·艾伯纳;熊治勇 -专利权人：艾伯纳工业炉公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于通过PVT或PVD或CVD或取向附生升华来培育晶体的方法，所述方法包括以下步骤：提供用于晶体生长的腔室；提供坩埚，所述坩埚设置所述腔室中并且所述坩埚具有带有籽晶的至少一个析出部段以及用于培育晶体的原始材料；提供至少一个温度监控装置、特别是高温计；提供气体供应装置以及至少一个流体入口和出口；提供压力监控装置；通过泵出装置对所述腔室排真空；用惰性气体、优选氩气冲刷所述腔室；通过至少一个加热装置将所述腔室加热到2000℃至2400℃的培育温度；将压力降低到0.1至100mbar；(在生长过程期间，)供应掺杂物、优选是氮；调节生长过程中的过程参数；在生长过程的结束时提高所述腔室中的压力；冷却所述腔室；其中，在10至10000分钟之内将所述腔室(11)从环境温度加热到培育温度。
用于培育晶体方法

[发明专利]用于加热多个坩埚的设备-CN202180045446.4在审
发明人： R·艾伯纳;K·阿里亚旺;熊治勇;G·巴巴里 -专利权人：艾伯纳工业炉公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长晶体的坩埚装置(100)。坩埚装置(100)包括加热室(140)、第一晶体(111)能够在其中生长的至少第一坩埚(110)、以及第二晶体(121)能够在其中生长的至少第二坩埚(120)。第一坩埚(110)和第二坩埚(120)沿着水平方向和竖直方向以及任何取向方向彼此相间隔地布置于所述加热室(140)内。坩埚装置(100)进一步包括布置于所述加热室(140)内的加热系统，其中加热系统被构造成用于调节沿着水平方向和竖直方向以及任何取向方向的温度。
用于加热坩埚设备

[发明专利]晶体生长设备-CN201980076758.4在审
发明人： R·艾伯纳;G·巴巴里;熊治勇;B·格鲁恩 -专利权人：艾伯纳工业炉公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长晶体的设备(100)。该设备包括腔室(101)和布置在腔室(101)的可加热的容纳空间(103)中的坩埚(102)，其中，坩埚(102)包括构造成用于在内部生长晶体的内部容积(104)。坩埚(102)包括底部(105)，相应的侧壁(106)从该底部延伸到坩埚(102)的顶部部段(107)。坩埚(102)包括至少一个沉积部段(D1至D7)，该沉积部段(D1至D7)构造成用于附着籽晶(108)，其中该沉积部段(D1至D7)形成在坩埚(102)的侧壁(106)与顶部部段(107)中的至少一者上。
晶体生长设备