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[发明专利]封装天线的路由选择-CN201210372231.6有效
发明人： B·P·金斯伯格;E·赛奥克;V·B·伦塔拉;S·拉马斯瓦米;B·哈龙 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明涉及封装天线的路由选择。提供了一种装置。多个收发器天线被布置以形成相控阵列，其中每个天线包括以第一模式布置的差分发射天线和差分接收天线。多个收发器以基本对称的第二模式布置，并且每个收发器与收发器天线的至少一个相关联，并且包括馈电网络。每个馈电网络具有：功率放大器（PA）；第一匹配网络，其耦合在该PA及其相关联的发射天线之间，以便平移每个差分发射信号的相位；低噪声放大器（LNA）；以及第二匹配网络，其耦合在该LNA及其相关联的接收天线之间，以便平移每个差分接收信号的相位。
封装天线路由选择

[发明专利]带有作为接地屏蔽的集成去耦的平衡-非平衡转换器-CN201310593903.0有效
发明人： S·桑卡兰;B·P·金斯伯格;V·B·伦塔拉;S·M·拉马斯瓦米;E·赛奥克;B·哈龙;B·A·克雷默;H·阿里;N·C·沃克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H03H7/42 文献下载
摘要：本发明涉及带有作为接地屏蔽的集成去耦的平衡‑非平衡转换器。提供了一种装置。在第一区域中形成传输线单元。在一部分第一区域内的传输线单元上方形成第一金属化层。至少一部分第一金属化层电耦合到多个传输线单元。在第一金属化层上方形成第二金属化层，其具有互连部分、交叠部分和第一平衡‑非平衡转换器。互连部分至少部分延伸到第一区域中，并且交叠部分在第一区域内。第一平衡‑非平衡转换器绕组电耦合到交叠部分并部分延伸到第二区域中。第一区域部分围绕第二区域。在第二金属化层上方形成第三金属化层，其具有在第二区域内的第二平衡‑非平衡转换器绕组，其中第二绕组与第一平衡‑非平衡转换器绕组大致同轴。
金属化层非平衡转换器第一区域传输线单元第二区域平衡交叠接地屏蔽电耦合互连去耦平衡-非平衡转换器延伸同轴

[发明专利]倍频器-CN201480004238.X有效
发明人： S·桑卡兰;V·B·伦塔拉;B·P·金斯堡;S·M·若马斯万迈;E·赛奥克;B·赫龙;B·A·克雷默;F·塞涅雷特 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H03B19/10 文献下载
摘要：倍频器具有经配置用于接收具有第一频率的第一差分信号(f*Lo+，fur)的一对差分晶体管(Q1、Q2)和变压器(TR)。所述变压器初级侧被耦合到所述一对差分晶体管，而且所述变压器次级经配置用于输出具有大于所述第一频率的第二频率的第二差分信号(2fLo+，2fLo‑)。第一导电型晶体管(Q3)被耦合到第一供电轨(地面)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管。第二导电型晶体管(Q4)被耦合到第二供电轨(VDD)、所述变压器初级侧和所述一对差分晶体管，其中所述第二晶体管是第二导电型晶体管。
倍频器

[发明专利]具有共模反馈的宽带宽C类放大器-CN201280038307.X有效
发明人： B·P·金斯伯格;V·B·瑞塔拉;S·拉马斯瓦米;B·赫龙;E·赛奥克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种C类放大器（100），其中施加共模电流到共栅放大器（100）并且感测共模电流。响应所感测的共模电流，产生控制电压。如果共模电流小于预定阈值，则施加响应于控制电压而产生的第一反馈电流（FB1）到共栅放大器（110）的差分地。另外，如果共模电流大于预定阈值，则施加响应于控制电压而产生的第二反馈电流（FB2）到共栅放大器（110）的输入端（IN）。
具有反馈宽带放大器

[发明专利]太赫兹相控阵列系统的模拟基带电路-CN201280028744.3有效
发明人： S·M·若马斯万迈;V·B·瑞塔拉;B·P·金斯伯格;B·S·哈龙;E·赛奥克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G01S13/53 文献下载
摘要：本发明提供一种用于确定目标的位置的方法。在相控阵列系统（200）中，（通常）在连续循环中从相控阵列（204）（其具有若干收发器（206‑1至206‑N））发射太赫兹辐射的若干发射脉冲。这些发射脉冲一般被配置为被目标反射以便由扫描范围（其包括具有若干采样周期的数字化窗口）内的相控阵列接收。然后，对每个收发器（206‑1至206‑N）的输出信号进行组合以产生每个循环的组合信号。对发射脉冲的数字化窗口内的每个采样周期中的组合信号求平均以产生数字化窗口内的每个采样周期的平均信号。然后将这些平均信号数字化。
赫兹相控阵系统模拟基带电路

[发明专利]触摸屏-CN201280039027.0有效
发明人： B·S·哈龙;M·科尔斯;B·P·金斯堡;V·B·伦塔拉;S·M·若马斯万迈;E·赛奥克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： G06F3/03 文献下载
摘要：提供一种用于确定物体在触摸板上的位置的方法。首先，通过由介电材料形成的触摸板（102）发送太赫兹辐射的脉冲（108），使得该脉冲在与触摸板的触摸表面相邻的区域（114）中产生瞬逝场（116）。位于与触摸板的触摸表面相邻的区域中的物体产生反射脉冲（118），并且至少部分根据反射脉冲来对物体在触摸板的触摸表面上的位置进行三角测量。
触摸屏

[发明专利]下变频混频器-CN201080068774.8有效
发明人： B·P·金斯伯格;V·B·伦塔拉;S·M·拉马斯瓦米;B·S·哈龙;E·赛奥克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：可调节阻抗网络耦合到隔离端口（其通常被终止），以在非常高的频率范围内显著地增加调谐范围并且扩展正交混频器的带宽。正交混频器200从RF信号（VRF）和本地振荡器信号（VLO）产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。跨导电路（202）和开关电路（204-1，204-2）以类似方式共同地操作为一对Gilbert单元混频器，其输出同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。混和耦合器（100）对从跨导电路（202）输出的信号进行相移，而同一本地振荡器信号（VLO）被施加到两个开关电路（204-1，204-2）以产生同相和正交中频信号（IFI，IFQ）。
变频混频器

[发明专利]太赫兹相控阵列系统-CN201080068935.3有效
发明人： B·P·金斯伯格;V·B·瑞塔拉;S·M·若马斯万迈;B·S·哈龙;E·赛奥克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G01S7/03 文献下载
摘要：现在，微电子已经发展到太赫兹频率范围内的辐射可以被生成和使用的地步。本发明提供了一种集成电路或IC，其包括使用太赫兹辐射的相控阵列雷达系统。为实现此目的，应用了若干特征；即将较低频率的信号传播到收发器，其将该频率倍增至期望的频率范围。为了克服来自倍增的损耗，使用注入锁定压控振荡器（ILVCO），并且然后可以使用高频功率放大器（PA）放大该信号，以便进行发射。
赫兹相控阵系统

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