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- [发明专利]集成半导体电路-CN201580059120.1有效
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C·普伦特克;W·冯埃姆登;N·戴维斯
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罗伯特·博世有限公司
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2015-09-18
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2021-03-26
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H01L27/02
- 具有平面衬底(2)集成半导体电路(1)在绝缘层(3)上布置,其中,半导体层(4)在所述绝缘层(3)上布置,其中,所述半导体层(4)具有至少三个直接彼此邻接的区段(5,6,7),其中,所述彼此邻接的区段(5,6,7)具有相反的载流子,从而交替地构造pn结或np结,其中,当所述半导体层(4)电接通时,所述三个彼此邻接的区段(5,6,7)构造导通方向上的二极管(11)和截止方向上的二极管(12),其中,接通层(8)例如在所述区段(6,7)上布置,所述区段代表所述截止方向上的二极管(12),从而所述截止方向上的二极管(12)短接,并且金属层(9)在所述接通层(8)上布置,其中,所述金属层(9)完全覆盖所述接通层(8)并且至少局部地以一垂直距离横向地在所述三个彼此邻接的区段(5,6,7)上面布置。
- 集成半导体电路
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