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[发明专利]用于掩埋的导电层的硅化沟槽接触-CN200980144969.3有效
发明人： D·D·库尔鲍;J·B·约翰逊;P·J·林德格伦;刘学锋;J·S·纳科斯;B·A·奥尔纳;R·M·拉塞尔;D·C·谢里丹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-10-27 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种沟槽接触硅化物(78)被形成在接触沟槽的内壁上，所述接触沟槽到达半导体衬底(8)中的掩埋的导电层(30)以降低透穿件结构的寄生电阻。所述沟槽接触硅化物(78)被形成在所述沟槽的底部处、侧壁上以及所述半导体衬底(8)的顶表面的一部分上。所述沟槽随后以中段制程(MOL)电介质加以填充。接触过孔(98)被形成在所述沟槽接触硅化物(78)上。所述沟槽接触硅化物(78)可经由与金属层的单一硅化反应或经由与多个金属层的多个硅化反应而形成。
用于掩埋导电沟槽接触

[发明专利]半导体结构及其方法-CN200810081718.2有效
发明人： N·B·费尔申费尔德;B·A·奥尔纳;B·T·弗格利 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其方法。将高性能双极晶体管集成到包含CMOS器件的BiCMOS结构中，其中所述高性能双极晶体管具有升高的自对准的外部基极。通过形成衬垫层和相对于预先存在的CMOS器件的源极和漏极增加内部基极层的高度，以及通过选择性外延来形成外部基极，在外部基极的光刻构图期间最小化拓扑变化的效果。此外，在制造双极器件期间，由于不采用任何的化学机械平坦化工艺，所以降低了工艺集成的复杂性。形成内部间隔物或外部间隔物来隔离基极与发射极。衬垫层、内部基极层以及外部基极层形成了具有重合的外侧壁表面的台面结构。
半导体结构及其方法