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[发明专利]用于表征半导体制造过程的方法和装置-CN202280019816.1在审
发明人： N·W·克莱因·科尔坎普;M·豪普特曼;A·凯瓦尼·简巴韩;王静超 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于表征在衬底上执行的半导体制造过程的方法和装置。获得在第一处理步骤之后测量的、与衬底的指纹数据相关联的第一数据。获得在第二过程步骤之后测量的、与衬底的指纹数据相关联的第二数据。统计模型被用于将第一数据和第二数据分解为在第一数据和第二数据之间互相关的第一类指纹成分以及在第一数据和第二数据之间不互相关的第二类指纹成分。第一类指纹成分和第二类指纹成分中的至少一个指纹成分被用于表征半导体制造过程。
用于表征半导体制造过程方法装置

[发明专利]用于在表面上进行粗糙度和/或缺陷测量的测量装置和方法-CN202280019927.2在审
发明人： A·冯芬克;S·哈姆;I·J·马克尔;M·诺依曼-罗比施 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：一种测量装置(100)，被配置为用于在待研究样品(1)的表面的多个表面区段(2)上进行粗糙度和/或缺陷测量，包括：照射设备(10)，具有至少两个光源(11A、11B、11C、11D)，该至少两个光源(11A、11B、11C、11D)被布置用于使用测量光照射表面的测量区域(3)；检测器设备(20)，具有带有多个检测器像素的检测器阵列(21)，该多个检测器像素被布置用于捕获在表面处散射的散射光；以及评估设备(30)，评估被配置用于根据所捕获的散射光确定表面的至少一个粗糙度特征，该至少两个光源(11A、11B、11C，11D)被配置用于以相对于表面的表面法线的不同入射角沿着至少两个照射射束路径(LA、LB、LC、LD)照射测量区域(3)，该至少两个光源(11A、11B、11C、11D)能够相对于检测器设备(20)固定，该检测器设备(20)被设置有成像光学器件(22)，该成像光学器件(22)被布置用于在检测器阵列(21)上对表面的测量区域(3)进行成像，检测器设备(20)被配置用于以相对于表面的表面法线的预定视角来检测所照射的测量区域(3)中的表面区段(2)的至少两个散射光图像(4A、4B、4C、4D)，由检测器像素接收的散射光的部分在每种情况下具有共同空间频率，这些部分在每种情况下都由照射射束路径(LA、LB、LC、LD)中的一个照射射束路径中的照射形成，并且评估设备(30)被配置用于根据至少两个散射光图像(4A、4B、4C、4D)确定表面区段(2)的至少一个粗糙度特征。还描述了用于进行粗糙度和/或缺陷测量的方法。
用于表面上进行粗糙缺陷测量装置方法

[发明专利]基于中空芯部光纤的辐射源-CN202280020616.8在审
发明人： W·R·彭格斯;帕特里克·塞巴斯蒂安·于贝尔;J·R·K·科勒 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：一种辐射源，包括：中空芯部光纤，所述中空芯部光纤包括本体，所述本体具有用于限制工作介质的中空芯部，所述中空芯部光纤能够操作以接收脉冲泵浦辐射，使得所接收的脉冲泵浦辐射通过所述中空芯部从所述中空芯部光纤的输入端传播至所述中空芯部光纤的输出端；其中所述辐射源的源参数被配置成使得所述脉冲泵浦辐射经历光孤子自压缩过程，以便改变所述脉冲泵浦辐射的光谱以形成输出辐射；所述宽带光源装置还包括至少一个分散控制机构，所述至少一个分散控制机构能够操作以改变所述光纤的第一部分中的分散特性，以便对在所述光孤子自压缩过程中产生的分散波进行光谱偏移。
基于中空光纤辐射源

[发明专利]对准方法和相关联的对准和光刻设备-CN202280018266.1在审
发明人： N·F·W·蒂森;L·J·卡尔塞迈耶尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：披露了一种用于确定一组校正权重以校正量测数据的方法。所述方法包括：获得与用于执行测量的测量辐射的多个照射设置相关的第一量测数据，其中每个照射设置包括不同的波长、偏振或其组合；将量测数据拟合到用于表示所述量测数据的模型，并且确定拟合残差；以及确定所述校正权重为最小化所述拟合残差的校正权重。
对准方法相关光刻设备

[发明专利]多个带电粒子束的装置-CN202010663424.1有效
发明人：任伟明;刘学东;胡学让;陈仲玮 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：提出了一种用于以高分辨率和高生产能力观察样本的多束装置。在该装置中，源转换单元通过使来自一个单电子源的平行初级电子束的多个小束偏转来形成该单电子源的多个且平行的图像，并且一个物镜将多个偏转的小束聚焦到样本表面上，并在样本表面上形成多个探测点。可移动聚光透镜用于使初级电子束准直，并改变多个探测点的电流，预小束形成部件弱化初级电子束的库仑效应，并且源转换单元通过最小化并补偿物镜和聚光透镜的离轴像差来最小化多个探测点的尺寸。
带电粒子束装置

[发明专利]衬底限位系统-CN202280017547.5在审
发明人： M·A·C·费许伦;T·波耶兹 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种衬底限位系统，包括：衬底台、和多个周向布置的限位器，所述多个周向布置的限位器中的每个限位器包括弹簧，其中，所述弹簧具有近端和远端，其中，所述弹簧的所述远端是能够径向移位的，并且其中所述弹簧的所述近端的基部在固定部位处固被定至所述衬底台。
衬底限位系统

[发明专利]图案化过程的配置-CN202280018003.0在审
发明人：徐祯焄;朴成云;雷馨;郑镇雄;赵荣阔;徐端孚;李小阳 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：描述了用于基于另一图案化过程的结果来配置图案化过程的方法。所述方法包括通过使用处于第一定向的设计布局模拟第一图案化过程来获得轮廓的第一集合。所述轮廓满足与所述设计布局相关联的设计规格，并且对应于过程窗口条件的第一集合。基于所述设计布局的第二定向、过程窗口条件的所述第一集合和轮廓的第一集合来配置第二图案化过程。所述第二图案化过程与影响轮廓的第二集合的一个或更多个设计变量(例如，源、掩模)相关联。所述配置包括调整一个或更多个设计变量直到轮廓的所述第二集合与轮廓的所述第一集合的匹配度位于期望的匹配阈值内。
图案过程配置

[发明专利]包括静电夹具的设备以及方法-CN202280019613.2在审
发明人：克塞尼亚·谢尔盖夫纳·马卡伦科;M·A·范德柯克霍夫;A·多尔戈夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于夹持物体的静电夹具，该静电夹具包括电粘附层，该电粘附层包括涂覆有绝缘材料的多个导电性可压缩材料元件，其中，电粘附层被配置为以电气方式改变对物体的粘附性，以用于夹持及松开物体，其中，所述元件具有在1nm至100nm的范围内、优选地在5nm至20nm的范围内的平均直径。
包括静电夹具设备以及方法

[发明专利]带电粒子光学设备-CN202180093973.2在审
发明人： M·J-J·维兰德;A·V·G·曼格努斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/12 文献下载
摘要：本发明提供了用于检测反向散射带电粒子的各种技术，包括沿着子束路径加速带电粒子子束到达样品、从检测器阵列排斥二次带电粒子，以及提供可以在用于主要检测带电粒子的模式与用于主要检测二次粒子的模式之间切换的装置和检测器。
带电粒子光学设备

[发明专利]级联缺陷检查-CN201880007230.7有效
发明人：陈志超;方伟 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：公开了一种缺陷检查系统。根据某些实施例，该系统包括存储器，该存储器存储被实现为多个模块的指令。多个模块中的每个模块被配置为检测具有不同属性的缺陷。该系统还包括控制器，该控制器被配置为使计算机系统：接收表示晶片的图像的检查数据；将检查数据输入到多个模块中的第一模块，第一模块输出具有第一属性的第一组兴趣点(POI)；将第一组POI输入到多个模块中的第二模块，第二模块输出具有第二属性的第二组POI；以及报告第二组POI作为具有第一属性和第二属性两者的缺陷。
级联缺陷检查

[发明专利]表膜和表膜组件-CN201880040335.2有效
发明人： D·F·弗莱斯;C·K·安德;A·F·J·德格鲁特;A·J·M·吉斯贝斯;J·J·詹森;保罗·詹森;J·H·克洛特韦克;P·S·A·克纳彭;E·库尔干诺娃;M·P·梅热尔;W·R·梅金克;M·A·纳萨莱维奇;A·W·诺滕博姆;R·奥尔斯曼;H·帕特尔;玛丽亚·皮特;G·范德博世;W·T·A·J·范登艾登;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;J·P·M·B·沃缪伦;W-P·福尔蒂森;H·J·旺德杰姆;A·N·兹德拉夫科夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种表膜组件，所述表膜组件包括表膜框架，所述表膜框架限定表膜所附接到的表面。所述表膜组件包括一个或更多个三维膨胀结构，所述三维膨胀结构允许所述表膜在应力下膨胀。本发明还涉及一种用于图案形成装置的表膜组件，包括用于使得表膜朝向图案形成装置和远离图案形成装置移动的一个或更多个致动器。
组件

[发明专利]图案形成装置及其制造方法、设计方法以及计算机程序产品-CN202310790218.0在审
发明人：段福·史蒂芬·苏;刘晶晶 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：公开图案形成装置及其制造方法、设计方法以及计算机程序产品。图案形成装置包括图案形成装置基板图案化层。图案化层的第一部分具有第一水平的反射率、吸收率或透射率，图案化层的第二部分具有不同的第二水平的反射率、吸收率或透射率，和图案化层的第三部分具有第三水平的反射率、吸收率或透射率，其中第三水平的反射率、吸收率或透射率在第一和第二水平的反射率、吸收率或透射率之间，并且是亚分辨率辅助特征的一部分。
图案形成装置及其制造方法设计以及计算机程序产品

[发明专利]用于光刻设备的表膜隔膜以及方法-CN202280017548.X在审
发明人：保罗·亚历山大·维梅伦;Z·S·豪厄林 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：一种碳纳米管隔膜，包括具有预先选择的结合构型或(m，n)手性的碳纳米管，其特征在于，该碳纳米管隔膜包括大量的具有锯齿形(m，0)手性和/或扶手椅形(m，m)手性的碳纳米管。还描述了一种处理碳基隔膜的设备、一种处理碳基隔膜的方法、包括碳基隔膜的表膜、包括碳纳米管隔膜的光刻设备、以及碳纳米管隔膜在光刻设备和方法中的用途。
用于光刻设备隔膜以及方法

[发明专利]利用图案识别以自动地改良SEM轮廓测量准确度和稳定性-CN201980046453.9有效
发明人：梁蛟;张琛;张强;郭蕴博 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开一种用于通过测量部分地基于目标设计而构造的被印制的设计上的特征来改良过程模型的方法。所述方法包括：获得a)来自图像捕获装置的所述被印制的设计的图像和b)基于所述图像中的形状的轮廓。所述方法还包括：通过图案识别过程来鉴别所述目标设计上的包括所述特征的图案；和确定所述轮廓上的与所述特征相对应的坐标。所述方法还包括：通过至少a)基于所述坐标来提供所述特征的测量结果和b)基于所述测量结果与所述目标设计中的相应的特征的比较来校准所述过程模型，改良所述过程模型。
利用图案识别自动改良 sem 轮廓测量准确度稳定性

[发明专利]用于极紫外光源的标靶-CN201910265448.9有效
发明人：陶业争;R·J·拉法克;I·V·弗梅科夫;D·J·W·布朗;D·J·戈利驰 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G21K5/02 文献下载
摘要：用于形成标靶和用于产生极紫外光的技术包括：朝向标靶位置释放初始标靶材料，标靶材料包括当转换为等离子体时发射极紫外(EUV)光的材料；引导第一放大光束朝向初始标靶材料，第一放大光束具有足以由初始标靶材料形成标靶材料块件的汇集的能量，每个块件小于初始标靶材料并且空间分布遍布半球形体积；以及引导第二放大光束朝向块件汇集以将标靶材料的块件转换为发射EUV光的等离子体。
用于紫外光源

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