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[发明专利]用于高级集成电路结构制造的不同多晶硅间距-CN202110862860.6在审
发明人： A·图拉;S·G·亚罗维亚尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造领域，并且特别地，属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造以及所得到的结构。在示例中，一种集成电路结构包括第一多个逻辑门结构，第一多个逻辑门结构在第一多个逻辑门结构中的相邻逻辑门结构之间具有第一间距。集成电路结构还包括第二多个逻辑门结构，第二多个逻辑门结构在第二多个逻辑门结构中的相邻逻辑门结构之间具有第二间距。第二间距大于第一间距。
用于高级集成电路结构制造不同多晶间距

[发明专利]用于高级集成电路结构制造的连续栅极和鳍状物间隔体-CN201811297674.7在审
发明人： H·M·迈尔;A·图拉;B·何;S·乔希;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物。绝缘结构与鳍状物的下鳍状物部分的侧壁直接相邻。第一栅极电极在上鳍状物部分之上和绝缘结构的第一部分之上。第二栅极电极在上鳍状物部分之上和绝缘结构的第二部分之上。第一电介质间隔体沿第一栅极电极的侧壁。第二电介质间隔体沿第二栅极电极的侧壁，该第二电介质间隔体在绝缘结构的在第一栅极电极和第二栅极电极之间的第三部分之上与第一电介质间隔体连续。
栅极电极鳍状物电介质间隔体绝缘结构侧壁高级集成电路集成电路结构结构制造连续栅极直接相邻间隔体制造

[发明专利]通过优化材料排列而改善磁热级联的性能-CN201480004706.3有效
发明人： C·卡罗尔;O·罗格;B·H·里辛克;A·罗威;D·阿诺德;A·图拉 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：一种磁热级联，其包含至少三种具有不同居里温度且以居里温度递减的方式依次排列的不同磁热材料，其中具有不同居里温度的不同磁热材料均不具有比具有最高居里温度的磁热材料更高的层性能Lp，且其中至少一种具有不同居里温度的不同磁热材料具有比具有最高居里温度的磁热材料更低的层性能Lp，其中具体磁热材料的Lp根据式(I)确定：Lp＝m＊dT绝热，最高，dT绝热，最高：该具体磁热材料在磁热循环期间由低磁场至高磁场磁化时的最高绝热温度变化；m：所述磁热级联中所含的该具体磁热材料的质量。
通过优化材料排列改善级联性能

[发明专利]磁致热热泵、冷却装置及其操作方法-CN201680066131.7在审
发明人： A·罗威;R·泰伯;A·图拉 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有回热器组件(110)和至少一个可旋转磁场发生器(150)的磁致热热泵(100)，包括：‑轴(160)，其沿旋转轴线(125)取向并且插入到回热器组件(110)的回热器本体(130)的轴向孔口和至少一个磁场发生器(150’)的轴向孔口中；‑所述至少一个磁场发生器(150)，其中，所述至少一个发生器本体(150’)周向地位于所述旋转轴线(125)的周围，所述发生器本体(150’)包括第一和第二磁环区段(151’，151”)，所述磁环区段关于旋转轴线(125)彼此直径相对地定位，其中，第一和第二磁环区段(151’，151”)分别包括第一和第二永久磁体(152’，152”)，并且各磁场发生器(150)的第一和第二永久磁体(152’，152”)中的每一者都安装在支承结构(153)上，其中，支承结构(153)包括具有第一和第二轭形本体(154’，154”)的第一和第二轭形区段(153’，153”)，其中，所述第一和第二轭形本体(154’，154”)关于旋转轴线(125)彼此直径相对地定位，并且其中，磁场发生器(150)与轴(160)可旋转地联接；回热器组件(110)，其中，回热器本体(130)周向地位于旋转轴线(125)的周围，所述回热器本体(130)包括分布在回热器本体(130)中的磁致热材料(120)，并且其中，回热器组件(110)围绕轴(160)布置。
回热器磁场发生器旋转轴线磁环轭形发生器本体永久磁体支承结构可旋转轴向孔磁致热泵磁致热材料冷却装置取向联接

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