专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果2159个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种书籍归类识别处理方法及可读存储介质-CN202310908769.2在审
  • 王继娜;夏超群;万伟伟;陈志鹏 - 河南省图书馆
  • 2023-07-24 - 2023-10-24 - G06V10/764
  • 本发明公开了一种书籍归类识别处理方法及可读存储介质,首先通过图书馆内设置的摄像头或扫描仪获取待归类书籍的图像,然后对待归类书籍的图像依次进行进行预处理、双线性插值算法进行拉伸、预设灰度值最低阈值、滤波处理、归一化、边缘检测、加权伽马变换算法得到区别图像,然后对区别图像进行二值化后筛除剩余背景图像,得到文本图像;进而通过预设的文字图像库与从待归类书籍的图像中提取得到的文本图像进行对比得到书籍的基本信息;利用书籍的基本信息实现书籍的归类操作,保障书籍的基本信息提取的精度的情况下实现对书籍的归类,降低人工处理所耗费的时间以及保障书籍归类的正确。
  • 一种书籍归类识别处理方法可读存储介质
  • [发明专利]一种测量扬声器参数的方法、装置、设备及存储介质-CN202210346639.X在审
  • 彭聪聪;陈志鹏;施韵;明幼林 - 武汉市聚芯微电子有限责任公司
  • 2022-03-31 - 2023-10-24 - H04R29/00
  • 本申请公开了一种测量扬声器参数的方法、装置、设备及存储介质,至少基于待测扬声器的至少一个第一参数在第n个或第n‑1个采集时刻的采集值、所述待测扬声器的目标参数的第n个参考值以及所述待测扬声器的第二参数的第n‑1个预估值,确定所述第二参数的第n个预估值;所述第二参数为电压、电流和位移中的任一一个,所述第一参数为所述电压、所述电流和所述位移中除所述第二参数之外的参数;在所述第二参数的第n个预估值不满足收敛条件的情况下,确定所述目标参数的第n+1个参考值,并继续确定所述第二参数的第n+1个预估值,直到所述第二参数的第N个预估值满足所述收敛条件,确定所述目标参数的第N个参考值为所述目标参数的测量值,n大于0且小于N,降低目标参数的测量复杂度。
  • 一种测量扬声器参数方法装置设备存储介质
  • [发明专利]一种书籍数据处理方法及可读存储介质-CN202310909479.X在审
  • 王继娜;梁琳;李欣悦;陈志鹏 - 河南省图书馆
  • 2023-07-24 - 2023-10-24 - G06F16/35
  • 本发明公开了一种书籍数据处理方法及可读存储介质,所述方法包括获取用户检索词,根据当前所述用户检索词检索得到对应的一个搜索书籍;根据当前所述搜索书籍对应的搜索类别以及所述搜索类别对应的搜索类别书籍,建立当前搜索类别对应的搜索类别书籍集合;基于所有所述搜索类别书籍对应的搜索类别书籍信息,将所述搜索类别书籍进行排序,得到搜索类别书籍序列集;获取当前所述用户的借阅记录;根据当前所述借阅记录中借阅书籍的数量获取当前所述用户的推荐书籍;将所述搜索书籍与所述推荐书籍显示给当前用户;通过综合分析用户的用户的借阅记录与用户的搜索书籍选择得到的推荐书籍更加符合用户的喜好,从而提高用户的体验。
  • 一种书籍数据处理方法可读存储介质
  • [实用新型]电源开关状态监测电路和具有其的电源开关装置-CN202320366442.2有效
  • 陈志鹏;王湘林 - 湖南涉外经济学院
  • 2023-03-02 - 2023-10-24 - G01R31/327
  • 本实用新型公开了一种电源开关状态监测电路和具有其的电源开关装置,包括:电源端子、锁存器、通讯模块、第一控制模块和显示模块,锁存器的多个输入端通过上拉电阻连接电源端子,锁存器的多个输入端用于连接电源开关的输入端,电源开关的输出端接地,锁存器的输出端连接通讯模块的输入端,通讯模块的输出端连接第一控制模块的输入端,第一控制模块的输出端连接显示模块的输入端,当电源开关闭合,锁存器的输入端输入低电平信号,当电源开关断开,锁存器的输入端输入高电平信号,锁存器通过通讯模块将低电平信号或高电平信号反馈给第一控制模块,第一控制模块控制显示模块显示电源开关的开闭状态信息。
  • 电源开关状态监测电路具有装置
  • [发明专利]体声波谐振器MBVD模型的参数提取方法、装置及介质-CN202310737262.5在审
  • 李国强;胡晗;许锴镔;陈志鹏;林廷钧 - 华南理工大学
  • 2023-06-20 - 2023-10-20 - G06F30/373
  • 本发明公开了一种体声波谐振器MBVD模型的参数提取方法、装置及介质,属于第三代半导体材料与器件领域。其中方法包括:获取体声波谐振器的测试文件,根据测试文件获得每个频率点f对应的阻抗、串联谐振频率fs对应的阻抗Zs以及并联谐振频率fp对应的阻抗Zp;根据提取的阻抗获取MBVD模型六个参数的数值,六个参数分别为静态电容C0、动生电容Cm、动生电感Lm、电阻R0、电阻Rs、电阻rm;采用所述MBVD模型进行仿真工作。本发明考虑了掺杂等方法提升带宽后对静态电容C0的影响,提高了作为损耗的R0、Rs、Rm三个电阻的准确性,适用于所有结构、压电层为本征与掺杂后的体声波谐振器MBVD模型的参数提取。
  • 声波谐振器mbvd模型参数提取方法装置介质
  • [发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET及其制造方法-CN202311010247.7在审
  • 徐守一;陈志鹏;蔡铭进 - 厦门芯达茂微电子有限公司
  • 2023-08-11 - 2023-10-17 - H01L21/336
  • 本发明涉及半导体功率器件技术领域,本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法,其包括下列步骤:在衬底上形成沟槽,在沟槽中生长屏蔽氧化层和沉积第一多晶硅;对第一多晶硅进行磨平,对屏蔽氧化层进行减薄;对第一多晶硅进行减薄,使得第一多晶硅的上表面与沟槽的顶部齐平;用光罩定义出终端区域,然后去除部分第一多晶硅和屏蔽氧化层;生长栅氧化层和沉积第二多晶硅,对第二多晶硅进行回刻。借此,该屏蔽栅沟槽型MOSFET可以消除终端位置的凹坑,终端位置将不会再有第二多晶硅残留,进而避免栅源极短路的问题,有效提升了产品良率。
  • 屏蔽沟槽mosfet及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top