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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成于半导体封装模塑料中的腔和形成方法-CN202111200453.5在审
发明人：葛友;王志杰;李翊鸣;小马里兰奥·L·京 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装包括引线框、管芯垫、接合垫和引线。管芯可布置在所述管芯垫上，所述管芯包括集成电路。在例子中，利用模塑料(MC)包封所述管芯以及所述引线框的至少一部分。所述管芯的第一部分上的所述MC的第一厚度小于所述管芯的第二部分上的第二厚度以在所述MC中形成腔，并且所述MC直接接触所述管芯的所述第一部分和所述第二部分。
形成半导体封装塑料中的方法

[发明专利]半导体器件和封装的方法-CN202111184282.1在审
发明人：葛友;赖明光;王志杰 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种用于封装半导体器件的方法包括：将接合线的端头的球在半导体器件的遮蔽层的孔中接合到半导体器件管芯的接合垫；其中遮蔽层的孔包括侧墙，及配置为暴露接合垫的一部分，以及遮蔽层配置为覆盖接合垫的其余部分；以及通过使接合线的球变形以遮蔽层的孔来封住由遮蔽层的孔所暴露的接合垫的一部分，以使遮蔽层的孔由接合线的球完全填充，从而使遮蔽层的侧墙变形。
半导体器件封装方法

[发明专利]半导体器件QFN封装及其制造方法-CN202111172811.6在审
发明人：赖明光;王志杰;葛友;李志明 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有QFN底面和QFN侧面的QFN封装半导体器件，其中每个QFN侧面包括上部和凹陷的下部，所述QFN封装半导体器件包括：QFN底面上的管芯焊盘；多个I/O端子与管芯焊盘间隔开并围绕QFN底面的外围，每个I/O端子都具有从内端延伸到外端的底面、在QFN侧面上露出的侧面，所述侧面在QFN侧面的凹陷的下部上方延伸；其中，QFN底面包括至少一条沟槽，该沟槽平行于QFN侧面中的一个并露出I/O端子的内端的侧面的至少一部分。
半导体器件 qfn 封装及其制造方法

[发明专利]无凸块和无引线的半导体器件-CN202111168327.6在审
发明人：葛友;王志杰;李翊鸣 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，包括：管芯，具有中央有源区、顶面、底面；侧壁，具有多个通孔，每个通孔从顶面的顶端延伸至底面的底端；顶面上的多个管芯焊盘，从中央有源区延伸至各自的顶端；底面上的图案化背面金属化层，包括延伸至相应底端的多个电隔离区域；金属涂层部分地填充通孔，并在多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘和多个电隔离区域中的相应电隔离区域之间提供电连接；和钝化层，覆盖顶面和管芯焊盘。
无凸块引线半导体器件

[发明专利]用于改进接合的封装半导体装置、引线框和方法-CN202111013270.2在审
发明人：葛友;王志杰;李翊鸣;徐艳博 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：公开一种封装半导体装置，包括：具有第一厚度的引线框，所述引线框包括管芯垫；所述引线框上的半导体管芯；以及环氧树脂，其位于所述半导体管芯与所述管芯垫之间并被布置成将所述半导体管芯接合到所述管芯垫；其中，在所述半导体管芯下方的至少一个区域中，所述管芯垫具有小于所述第一厚度的第二厚度；其中，所述管芯垫在所述至少一个区域中具有至少一个穿孔；并且其中，所述环氧树脂填充所述至少一个穿孔，并在所述穿孔下方延伸以及横向超出所述穿孔。还公开相应引线框以及相关联的制造方法。
用于改进接合封装半导体装置引线方法

[发明专利]具有高密度引线阵列的半导体装置及引线框架-CN201610886321.5有效
发明人：王志杰;白志刚;葛友;赖明光 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及具有高密度引线阵列的半导体装置及引线框架。半导体装置包括引线框架，所述引线框架具有布置在阵列中的引线，所述阵列具有在第一方向上延伸的列和在第二方向上延伸的行。每个引线包括接合焊盘部分和设置在接合焊盘部分下的焊接焊盘部分。焊接焊盘部分在第一方向上从接合焊盘部分水平地延伸。半导体管芯安装在一组多个引线上并且电连接到多个引线中的至少一个的接合焊盘部分。通过成型材料包封半导体管芯和多个引线，其中成型材料限定了封装主体，并且每个引线的焊接焊盘部分在封装主体的背侧处暴露。
具有高密度引线阵列半导体装置框架

[发明专利]QFN半导体封装、半导体封装及引线框架-CN202010946800.8在审
发明人：葛友;王志杰;赖明光 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：四方扁平无引线(QFN)封装包括半导体管芯，引线框架和模塑料。引线框架包括：管芯附着垫，其具有大致矩形的内部；以及围绕其外围并与其邻接并从其向外延伸的多个突起；以及围绕管芯附着垫的四个侧面的多个引线。模塑料密封半导体管芯并形成封装。模塑料在管芯附着垫的每一侧和相应的一组引线之间具有相应的壕沟。管芯附着垫具有至少在管芯附着垫的内部中从管芯附着垫的第二表面朝向第一表面延伸的多个沟槽。多个沟槽中的至少一个横穿突起延伸至壕沟。
qfn 半导体封装引线框架

[发明专利]具有适应各种管芯尺寸的引线框架的半导体器件-CN201910619333.5在审
发明人：葛友;赖明光;王志杰 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及具有适应各种管芯尺寸的引线框架的半导体器件。半导体器件使用具有环绕中央开口的引线的引线框架来组装。引线具有接近中央开口的近端部以及与中央开口间隔开的远端部。热沉贴附于引线的底表面，而半导体管芯贴附于引线的顶表面，其中管芯被支撑于引线的近端部上并且横跨中央开口。接合线将在管芯的有源表面上的电极与引线电连接。密封剂覆盖接合线以及至少管芯和引线的顶表面。引线的远端部被暴露以允许与管芯的外部电通信。
具有适应各种管芯尺寸引线框架半导体器件

[发明专利]功率管芯封装-CN201910566612.X在审
发明人：葛友;赖明光;王志杰;K·米普里 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种功率管芯封装，包括引线框架，该引线框架具有功率引线在其一个侧面上以及信号引线在其一个或多个其他侧面上的旗座。功率管芯贴附于旗座的底表面并且以导电环氧树脂与功率引线电连接。控制管芯贴附于旗座的顶表面并且以接合线与信号引线电连接。成型化合物被提供用于密封管芯、接合线以及引线的近端部，而引线的远端部是暴露的，从而形成PQFN封装。
功率管芯封装

[发明专利]具有非水平管芯垫及相应引线框的IC封装-CN201510139788.9有效
发明人：葛友;赖明光;王志杰 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及具有非水平管芯垫及相应引线框的IC封装。多构件集成电路(IC)封装具有基础构件(例如，插入器)限定IC封装的基底，多个管芯垫从基底延伸出去且成为IC封装的侧壁，一个或多个IC管芯，每个均安装在管芯之一的内表面上，并且键合丝线将IC管芯电连接到另一个IC封装组件上，例如插入器或另一个管芯上。通过安装管芯至非水平侧壁上，IC封装可提供相比于含有管芯堆叠的传统3D IC封装更有效的散热性能。
具有水平管芯相应引线 ic 封装

[发明专利]带有散热引线框的半导体器件-CN201510097811.2有效
发明人：葛友;赖明光;王志杰 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及带有散热引线框的半导体器件。一种封装的半导体器件具有顶部和底部并且包括引线框、管芯、和包封管芯和大部分引线框的包封材料。引线框包括上面安装有管芯的管芯垫、例如用键合引线电连接到管芯的引线、以及从管芯垫呈扇状延伸出的管芯垫延伸部。每个管芯垫延伸部具有近端段和远端段。远端段与引线交错。管芯垫的底部和延伸部的近端段可从器件底部露出。器件的顶部可具有对应于延伸部的凹口并且远端段的部分可被露出并弯折进入器件的顶部的相应凹口中。
带有散热引线半导体器件

[发明专利]用于IC封装的具有偏转的连接杆的引线框架-CN201510297163.5有效
发明人：王志杰;白志刚;葛友;赖明光 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及用于IC封装的具有偏转的连接杆的引线框架。一种封装集成电路(IC)器件，具有安装在IC管芯上的散热器，IC管芯自身安装在管芯焊垫上，使用具有连接杆的引线框架对该器件进行组装，连接杆在器件组装的封装阶段偏转，从而，当通过模制工具施加压力时，使得管芯焊垫、管芯和散热器相对于引线框架的支撑结构移动。该移动致使忽略封装期间散热器和管芯之间的相对位移，从而降低对管芯物理损坏的可能性。每个连接杆具有许多不同角度的区域，当向连接杆施加压力时，所述区域使连接杆偏转。
用于 ic 封装具有偏转连接引线框架

[发明专利]用于可穿戴电子装置的编织的信号路由基底-CN201510532739.1有效
发明人：葛友;赖明光;王志杰 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： D03D15/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于可穿戴电子装置的编织的信号路由基底.用于可穿戴电子装置的编织的信号路由基底具有彼此编织并与绝缘经线和纬线编织的导电经线和纬线.编织电交叉连接形成在一些导电经线和纬线的交叉点处，而在其它的交叉点处没有形成电交叉连接，以提供用于基底的信号路由架构，其可以用于在可穿戴装置的电子组件之间路由信号.使用比相对薄的导电经线足够厚的绝缘经线来形成非连接交叉点，以使导电纬线穿过导电经线，而不在不期望电交叉连接的交叉点位置处进行物理接触.可以使用确保对应的相互正交的经线和纬线彼此接触的编织拓扑结构，在其它交叉点位置处形成编织电交叉连接。
用于穿戴电子装置编织信号路由基底

[发明专利]具有路由基板的基于引线框架的半导体装置-CN201310551693.9有效
发明人：梅鹏林;葛友;赖明光 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及具有路由基板的基于引线框架的半导体装置，以及组装方法。所述半导体装置包括：引线框架；路由基板，设置在引线框架内；以及有源部件，安装在路由基板上。有源部件具有多个片芯焊盘。路由基板包括第一接合焊盘的集合、第二接合焊盘的集合以及多个互连，其中每一互连提供第一接合焊盘和相应的第二接合焊盘之间的电连接。半导体装置还包括在有源部件的一个或多个片芯焊盘和相应的路由基板的第一接合焊盘之间的电耦接件（例如，接合线），以及在引线框架的引线和相应的路由基板的第二接合焊盘之间的电耦接件。
基板路由接合焊盘引线框架半导体装置源部件电耦焊盘接件片芯集合互连提供电连接接合线互连组装

[发明专利]具有基于管道的散热器的半导体器件-CN201410337693.3有效
发明人：葛友;赖明光;王志杰 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及具有基于管道的散热器的半导体器件。一种封装半导体器件具有集成电路(IC)管芯、柔性管道和金属段塞。在组装期间，管道的第一端部安装于IC管芯的表面上，而管道的第二端部远离管芯表面而延伸。IC管芯表面的露出部分被包封于模制化合物内，该模制化合物同样包封管道的外周。在模制之后，管道可以用金属来填充，以提高热量远离管芯顶部的传导。如果管道由像橡胶一样的软材料形成，则管道在与管芯顶部的贴附过程中将不会破坏管芯。
具有基于管道散热器半导体器件

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