专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]二次电池用正极以及二次电池-CN202180025563.4在审
  • 福田真纯;黄木淳史;根本淳史;小野贵正;仓塚真树;藤川隆成;添田竜次;高桥翔;秋山仁人;河野阳介;西山祥一;浅沼武夫;早崎真治 - 株式会社村田制作所
  • 2021-04-07 - 2022-12-06 - H01M4/131
  • 二次电池具备包含正极活性物质层的正极、负极和电解液,该正极活性物质层包含由下述的式(1)表示的层状岩盐型的锂镍复合氧化物。在正极活性物质层的表面使用X射线光电子能谱法分析正极活性物质层时,Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度之比X满足由下述的式(2)表示的条件。在正极活性物质层的内部(深度=100nm)使用X射线光电子能谱法分析正极活性物质层时,Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度之比Y满足由下述的式(3)表示的条件。比X相对于比Y之比Z满足由下述的式(4)表示的条件。在使用了X射线光电子能谱法的正极的表面分析中,检测出B1s光谱、S2p光谱、F1s光谱和Ni3p光谱。B1s光谱的强度相对于Ni3p光谱的强度之比IBN满足由下述的式(5)表示的条件。S2p光谱的强度相对于Ni3p光谱的强度之比ISN满足由下述的式(6)表示的条件。F1s光谱的强度相对于Ni3p光谱的强度之比IFN满足由下述的式(7)表示的条件。LiaNi1‑b‑c‑dCobAlcMdOe…(1)(M是Fe、Mn、Cu、Zn、Cr、V、Ti、Mg以及Zr中的至少一种。a、b、c、d以及e满足0.8<a<1.2、0.06≤b≤0.18、0.015≤c≤0.05、0≤d≤0.08、0<e<3、0.1≤(b+c+d)≤0.22以及4.33≤(1‑b‑c‑d)/b≤15.0。) 0.30≤X≤0.70…(2) 0.16≤Y≤0.37…(3) 1.30≤Z≤2.52…(4) 0.9≤IBN≤1.8…(5) 0.4≤ISN≤1.2…(6) 8≤IFN≤13…(7)。
  • 二次电池正极以及
  • [发明专利]二次电池-CN202180025518.9在审
  • 大沼亚未;黄木淳史;宫本昌泰;桥本拓树;佐久间智美;仓塚真树;藤川隆成;添田竜次;高桥翔;秋山仁人;河野阳介;小野贵正;西山祥一;浅沼武夫;早崎真治 - 株式会社村田制作所
  • 2021-04-07 - 2022-11-11 - H01M10/052
  • 二次电池具备:正极,包含正极活性物质层,该正极活性物质层包含由下述的式(1)表示的层状岩盐型的锂镍复合氧化物;负极,包含锂钛复合氧化物;以及电解液,包含二腈化合物以及羧酸酯。每单位面积的正极的容量相对于每单位面积的负极的容量的比例为100%以上且120%以下。在正极活性物质层的表面,使用X射线光电子能谱法分析正极活性物质层时,Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度的比X满足由下述的式(2)表示的条件。在正极活性物质层的内部(深度=100nm),使用X射线光电子能谱法分析正极活性物质层时,Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度的比Y满足由下述的式(3)表示的条件。比X相对于比Y的比Z满足由下述的式(4)表示的条件。LiaNi1‑b‑c‑dCobAlcMdOe…(1)(M是Fe、Mn、Cu、Zn、Cr、V、Ti、Mg以及Zr中的至少一种。a、b、c、d以及e满足0.8<a<1.2、0.06≤b≤0.18、0.015≤c≤0.05、0≤d≤0.08、0<e<3、0.1≤(b+c+d)≤0.22以及4.33≤(1‑b‑c‑d)/b≤15.0。)0.30≤X≤0.70…(2)0.16≤Y≤0.37…(3)1.30≤Z≤2.52…(4)。
  • 二次电池
  • [发明专利]二次电池用正极以及二次电池-CN202180024733.7在审
  • 小野贵正;黄木淳史;仓塚真树;藤川隆成;添田竜次;高桥翔;秋山仁人;河野阳介;西山祥一;浅沼武夫;早崎真治 - 株式会社村田制作所
  • 2021-04-07 - 2022-11-11 - H01M4/131
  • 二次电池具备包括正极活性物质层的正极、负极和电解液,该正极活性物质层包含由下述的式(1)表示的层状岩盐型的锂镍复合氧化物。在正极活性物质层的表面使用X射线光电子能谱法分析正极活性物质层时,Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度之比X满足由下述的式(2)表示的条件。在正极活性物质层的内部(深度=100nm)使用X射线光电子能谱法分析正极活性物质层时,Al的原子浓度相对于Ni的原子浓度之比Y满足由下述的式(3)表示的条件。比X相对于比Y之比Z满足由下述的式(4)表示的条件。LiaNi1‑b‑c‑dCobAlcMdOe…(1)(M是Fe、Mn、Cu、Zn、Cr、V、Ti、Mg以及Zr中的至少一种。a、b、c、d以及e满足0.8<a<1.2、0.06≤b≤0.18、0.015≤c≤0.05、0≤d≤0.08、0<e<3、0.1≤(b+c+d)≤0.22以及4.33≤(1‑b‑c‑d)/b≤15.0。)0.30≤X≤0.70…(2)0.16≤Y≤0.37…(3)1.30≤Z≤2.52…(4)。
  • 二次电池正极以及
  • [发明专利]环氧树脂组合物及该组合物潜伏化的方法和半导体装置-CN200680002794.9有效
  • 秋山仁人;富田直树 - 住友电木株式会社
  • 2006-01-19 - 2008-01-16 - C08G59/68
  • 一种环氧树脂组合物,包括环氧树脂(A)、固化剂(B)、固化促进剂(C)和该环氧树脂的延迟固化组分(D),所述延迟固化组分(D)为选自分别由通式[1]、[2]和[3]表示的组分(a)、(b)和(c)中的至少一种组分。还提供了一种具有使用该环氧树脂组合物密封的半导体元件的半导体装置;和一种用于环氧树脂潜伏化的方法。因此可得到用于半导体密封的环氧树脂,其表现出优异的保存稳定性,在密封成型时表现出优异的流动性和固化性,并表现出优异的耐焊接性可以用无铅焊料在高温焊接处理时不形成开裂或裂纹。还得到一种通过调节固化促进剂和延迟固化组分的量使环氧树脂潜伏化的方法。(a)通式[1]表示的阴离子组分;(b)通式[2]表示的化合物;(c)通式[3]表示的硅烷化合物。
  • 环氧树脂组合潜伏方法半导体装置
  • [发明专利]环氧树脂组合物和半导体器件-CN00801488.4有效
  • 冲博美;乡义幸;三宅澄也;秋山仁人 - 住友电木株式会社
  • 2000-03-10 - 2003-04-09 - C08G59/62
  • 本发明提供一种具有快速固化性能和良好的储存稳定性并适用于电子和电器材料领域的环氧树脂组合物。即,本发明为一种环氧树脂组合物,该组合物含有一种分子中具有两个或多个环氧基的化合物(A),分子中具有两个或多个酚羟基的共缩合产物(B),以及四取代的鏻(X)、分子中具有两个或多个酚羟基的化合物(Y)和分子中具有两个或多个酚羟基的化合物(Y)的共轭碱的分子缔合产物(C),所述共轭碱为通过从上述分子中具有两个或多个酚羟基的化合物(Y)中除去氢原子得到的酚盐型化合物。
  • 环氧树脂组合半导体器件

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