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[发明专利]一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法-CN202211043070.6有效
发明人： 王领航;贾红瑞;李臻;魏晶 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具高居里温度和高压电系数的压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的化学组成为xBi(Zn2/3Nb1/3)O3‑(1‑x)(0.355BiScO3‑0.645PbTiO3)(BZN‑BS‑PT)，0≤x≤0.05。该压电陶瓷材料通过固态反应法制备，在BS‑PT压电陶瓷中掺杂BZN组分制备的BZN‑BS‑PT压电陶瓷材料，有效提高了BS‑PT压电陶瓷的压电和应变性能，获得的BZN‑BS‑PT压电陶瓷非常适合在高温压电器件上的应用。本发明制备的BZN‑BS‑PT压电陶瓷具有以下特点：居里温度为385～440℃，室温介电常数约为810～1230，矫顽场为2.23～2.38kV/mm，剩余极化强度为48.3～49.1μC/cm2，压电系数为460～590pC/N，在4kV/mm时的应变为0.23％～0.29％。
一种兼具居里温度高压电系数压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种应变对成分不敏感的压电陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202210753645.7有效
发明人： 王领航;李臻;贾红瑞 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种应变对成分不敏感的压电陶瓷材料及其制备方法和应用，该三元系压电陶瓷材料的化学组成为：xBi(Mg0.5Ti0.5)O3‑yPbZrO3‑zPbTiO3(BMT‑PZ‑PT),0.2≤x0.6,0.1y≤0.4,z＝1‑x‑y.该压电陶瓷通过传统的固相反应法制备，主要步骤包括：原料的计算称量、球磨、煅烧、造粒、成型、排胶以及烧结等过程。本发明所合成的压电陶瓷具有非常明显的应变对成分不敏感性，即压电陶瓷的电场诱导应变在一定成分范围内变化很小，并且其应变也相对较大，应变滞后较低。
一种应变成分敏感压电陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种镧掺杂钪钽酸铅钛酸铅压电陶瓷及其制备方法和应用-CN202211312124.4在审
发明人： 王领航;贾红瑞;李臻 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧掺杂钪钽酸铅钛酸铅压电陶瓷及其制备方法和应用，属于压电陶瓷制备技术领域，该压电陶瓷采用固相反应法制备而成，化学组成为yLa‑(1‑x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3‑xPbTiO3(xLa‑PST‑PT)，0.3≤x≤0.5,0≤y≤0.02。本发明所制备的La‑PST‑PT压电陶瓷可以有效解决高性能压电器件制备的关键技术问题，即能够满足高的压电系数和高的机电耦合系数、大的应变响应和低的应变滞后以及具备高的温度稳定性的几种性能指标，并且改善了含Sc和Ta元素陶瓷烧结温度高的问题，因此本发明的La‑PST‑PT压电陶瓷在高性能压电器件开发上是一种非常有前途的候选材料。
一种掺杂钪钽酸铅钛酸铅压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种高Tr-t-CN201910930606.8在审
发明人：杨帅;李飞;李景雷;周文龙;王领航;刘金凤;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明提供的一种高Tr‑t和Tc的铅基<001>C织构压电陶瓷材料及其制备方法，利用(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPbTiO3(PIN‑PSN‑PT)体系作为织构陶瓷粉体，x、y均表示摩尔分数，0.405≤x≤0.445，0.365≤y≤0.405；在<001>C BT模板上进行织构，其主要原理是PIN‑PSN‑PT陶瓷粉体在水平<001>C BT模板上进行定向生长，获得与单晶类似的各向异性的结构，从而获得接近单晶的压电性能，在此基础上结合4R工程畴在非自发极化方向上极化，最终获得高Tr‑t和Tc及较高压电性能的织构陶瓷。
一种 base sub

[发明专利]一种压电晶体原料及其制备方法-CN201710386372.6在审
发明人： 王领航 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电晶体原料及其制备方法，属于晶体生长技术领域。技术方案为采用分步法制备出InNbO4(IN)粉料和MgNb2O6(MN)粉料，再按照Pb(In1/2Nb1/2)O3‑Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PIMNT)的化学计量比，准确称取PbO、IN、MN和TiO2粉料，球磨后压制成块状，然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性，合成过程简单，可明显改善晶体原料成分偏离及对Pt坩埚的腐蚀，大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种压电晶体原料及其制备方法

[发明专利]一种三元系弛豫铁电压电晶体及其多温区生长方法-CN201410377439.6有效
发明人： 王领航 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三元系弛豫铁电压电晶体及其多温区生长方法，属于晶体生长技术领域，该三元系弛豫铁电晶体材料化学组成为xPb(In1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑zPbTiO3(PIMNT)，0<x≤0.7，0<y≤0.7，z＝1‑x‑y。所述的该三元系弛豫铁电压电晶体材料通过熔体法制备，采用多温区改进Bridgman法(VB)进行晶体生长，主要步骤包括原料合成、温区调整、升温熔化、下降生长、热处理等过程。本发明所述的弛豫铁电压电晶体的多温区生长技术所生长的PIMNT晶体，不仅具有相变温度高、耐电压高、应变量大等特点，而且具有完整性好、无开裂、力学强度高、缺陷密度低等优点，对于PIMNT晶体性能的改善和在相关器件，尤其是大功率器件上的应用，具有非常广阔的前景。
一种三元系弛豫铁电压电晶体及其多温区生长方法

[发明专利]一种新型三元压电晶体单相原料的制备方法-CN201410076798.8无效
发明人： 王领航;李飞;徐卓 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型三元压电晶体单相原料的制备方法，包括以下步骤：采用分步法制备出IN粉料和MN粉料，然后按照PIMNT的化学计量比，准确称取PbO、IN、MN和TiO₂粉料，球磨后压制成块状，然后烧结得到PIMNT晶体原料。本发明所合成的晶体原料具有很好的单相性，合成过程简单，可明显改善晶体原料对Pt坩埚的腐蚀，大大提高晶体生长的成功率及改善晶体的性能。
一种新型三元压电晶体单相原料制备方法

[发明专利]一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺-CN201410001009.4有效
发明人：靳立;李飞;王领航;魏晓勇;张树君 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明公开一种高频段无介电弥散的电子陶瓷材料的处理工艺，通过高温老化与低温老化两步法稳定锆钛酸铅陶瓷中的缺陷分布，使畴壁对交流电场的响应降到最低，以达到最佳频率稳定性的目的。采用本工艺处理的锆钛酸铅电子陶瓷材料在高频段其介电性能具有以下特点：在10MHz到200MHz频段间的介电常数实部稳定在420-422之间，虚部稳定在1-2之间，介电常数在该频段的变化率为0.476%，可以认为其在高频段不存在介电弥散。采用本发明工艺处理的电子陶瓷材料具有很好的介电性能稳定性，在近200MHz的带宽内性能稳定，可以作为潜在材料应用于高频电子器件。
一种频段无介电弥散电子陶瓷材料处理工艺

[发明专利]水泥窑高温带用MgO－CaO－ZrO₂砖及其制造方法-CN200610042682.8无效
发明人：高里存;孙义;王领航 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种水泥窑高温带用MgO－CaO－ZrO₂砖，其配料组成含量为：含94％～99％氧化镁的烧结镁砂或电熔镁砂：75～85％，轻质碳酸钙：3～13％，脱硅锆2～10％或锆酸钙2～6％，添加剂铁红1～4％，其余为结合剂亚硫酸纸浆废液。本发明还公开了一种生产该MgO－CaO－ZrO₂砖的制造方法。本发明生产工艺简单，易于控制、生产成本低。
水泥温带 mgo cao zro sub 及其制造方法

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