专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果111个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]影像感测器及半导体结构-CN201980000968.5有效
  • 杨孟达 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2019-05-23 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本申请内容提供一种用以接收一入射光(111)的像素(120),所述像素(120)包含一半导体基材(104)、设于所述半导体基材(104)中的一光电二极管(106),以及设于所述半导体基材(104)上的一超颖表面结构(110)。所述超颖表面结构(110)有第一侧(110A)以及和第一侧(110A)相对的第二侧(110B),超颖表面结构(110)第一侧(110A)朝向半导体基材(104),超颖表面结构(110)的第二侧(110B)朝向入射光(111)。超颖表面结构(110)包含位于第二侧(110B)的多个沟槽(110T),其中由剖面观察,所述这些沟槽(110T)有相同的轮廓。
  • 影像感测器半导体结构
  • [发明专利]图像传感电路以及图像深度传感系统-CN202110390402.7有效
  • 梁佑安;杨孟达 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2017-08-18 - 2023-09-26 - H04N25/617
  • 本发明提供了一种图像传感电路,包括感光像素阵列,包括复数个感光像素串行,所述复数个感光像素串行中第一感光像素串行的第一端接收第一时钟信号,所述复数个感光像素串行中第二感光像素串行的第一端接收第二时钟信号,所述感光像素阵列输出复数个像素值;延迟拴锁回路,用于输出所述第一时钟信号至所述第一感光像素串行的所述第一端及输出所述第二时钟信号至所述第二感光像素串行的所述第一端,所述第一时钟信号与所述第二时钟信号具有相同的延迟;以及影像深度判断单元,耦接于所述感光像素阵列以及所述参考像素阵列,用来根据所述复数个像素值以及所述复数个相位差,判断影像深度。
  • 图像传感电路以及深度系统
  • [发明专利]基于缓存价值的Spark缓存淘汰方法及系统-CN202010837412.6有效
  • 熊安萍;杨孟达;田野;龙林波;蒋溢 - 重庆邮电大学
  • 2020-08-19 - 2023-09-22 - G06F16/2455
  • 本发明涉及大数据计算领域,具体涉及一种基于缓存价值的Spark缓存淘汰方法及系统,包括:根据基于RDD信息的缓存价值模型得到每个RDD的初始缓存价值;利用改进的快速排序算法对RDD进行排序,得到RDD序列;依据初始缓存价值由高到低的顺序依次将RDD序列中RDD的计算结果存放到集群节点内存中;在任务动态执行过程中每个Stage结束时更新RDD信息;当节点内存不足时,利用基于Block信息的缓存价值模型计算已缓存Block的缓存价值;淘汰缓存价值小的Block释放内存空间。本发明将最具有缓存价值的RDD保存在内存中,及时清理不使用的Block,提升计算速度,减少RDD重算开销,优化内存资源利用率。
  • 基于缓存价值spark淘汰方法系统
  • [发明专利]基于飞行时间的测距方法和测距系统-CN201880001316.9有效
  • 杨孟达 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2018-08-31 - 2023-09-12 - G01S17/48
  • 本发明公开了一种基于飞行时间的测距方法和基于飞行时间的测距系统。所述测距方法包括:从发射端间歇性地发送连续N个脉冲,N是大于1的正整数,其中所述连续N个脉冲被目标物反射而产生反射信号;于所述反射信号抵达接收端的期间中的预定采样区间内,根据预定采样时间间隔对所述反射信号进行多次采样操作以产生采样结果;根据所述采样结果,侦测所述连续N个脉冲中单个脉冲从所述发射端到所述接收端的飞行时间;以及根据所述飞行时间测量所述目标物与参考位置之间的距离。所述测距方法可可以维持良好的量测质量,还能够迅速地测量目标物的距离,以及具备低耗能的功效。
  • 基于飞行时间测距方法系统
  • [发明专利]方波产生方法及方波产生电路-CN202210406670.8有效
  • 杨富强;杨孟达 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2017-02-23 - 2023-07-07 - H03K4/02
  • 本申请提供了一种方波产生方法,应用于一方波产生电路,用来产生一类方波信号,其中所述方波产生电路具有一耐压,所述方波产生方法包含有于一第一时间区间中,所述方波产生电路产生所述类方波信号为一第一电压;于一第二时间区间中,所述方波产生电路产生所述类方波信号为一第二电压;以及于所述第一时间区间与所述第二时间区间之间的一暂态区间中,所述方波产生电路产生所述类方波信号为一暂态电压,其中所述暂态电压介于所述第一电压与所述第二电压之间;其中,所述第一电压与所述第二电压之间的一第一电压差大于所述耐压。
  • 方波产生方法电路
  • [发明专利]方波产生方法及方波产生电路-CN201780000254.5有效
  • 杨富强;杨孟达 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2017-02-23 - 2022-05-13 - H03K4/00
  • 本申请提供了一种方波产生方法,应用于一方波产生电路,用来产生一类方波信号,其中所述方波产生电路具有一耐压,所述方波产生方法包含有于一第一时间区间中,所述方波产生电路产生所述类方波信号为一第一电压;于一第二时间区间中,所述方波产生电路产生所述类方波信号为一第二电压;以及于所述第一时间区间与所述第二时间区间之间的一暂态区间中,所述方波产生电路产生所述类方波信号为一暂态电压,其中所述暂态电压介于所述第一电压与所述第二电压之间;其中,所述第一电压与所述第二电压之间的一第一电压差大于所述耐压。
  • 方波产生方法电路
  • [发明专利]用于指纹识别的传感器像素电路-CN202010790145.1有效
  • 杨孟达;赵国豪;詹昶 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2014-10-13 - 2022-03-29 - G06V40/13
  • 本申请涉及用于指纹识别的传感器像素电路。一种用于指纹检测的指纹传感器装置包含传感器像素阵列,用于与手指的触摸部分电容式耦合以形成与指纹关联的电容器阵列,所述电容器阵列具有指示指纹的电容值。每一传感器像素包括:输出端,用于输出指示与所述手指的所述触摸部分的局部电容式耦合的输出信号,所述输出信号作为指纹检测的部分指纹数据;电容式感测层,其包括可电容式耦合到手指触摸部分的局部部分的导电材料,以形成与指纹关联的电容器,所述电容式感测层可耦合到输出端以形成输出信号;导电的集成电路布局层;指纹电压产生器;和布局电压产生器。
  • 用于指纹识别传感器像素电路
  • [发明专利]飞时测距方法与相关系统-CN202010558785.X有效
  • 王浩任;李宗德;杨孟达 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2020-06-18 - 2022-03-29 - G01S17/894
  • 本申请公开了一种飞时测距方法及飞时测距系统,用来测量与目标物的距离。飞时测距方法包括下列步骤:通过光学传感器,感测由目标物反射的反射光信号,并得到反射光信号与入射光信号之间的相位移,其中相位移小于2π;依据相位移得到多个第一深度信息,其中所述多个第一深度信息为相位混迭的多个深度信息;通过处理单元得到反射光信号对应于入射光信号的像差;依据像差,得到第二深度信息;以及依据第二深度信息,从多个第一深度信息中取得距离。
  • 测距方法相关系统
  • [发明专利]薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置-CN201980004081.3有效
  • 杨孟达 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2019-10-10 - 2022-03-18 - H04N5/369
  • 本申请公开了一种薄膜半导体结构、图像传感器及手持装置,所述薄膜半导体结构包括一像素(P11),包括:光电二极管(102),用来在曝光操作时,将光线转换为电荷;源跟随薄膜晶体管(106),闸极耦接至光电二极管的一端;电流源(108),耦接至源跟随薄膜晶体管的一源/漏极,当电流源被开启时,电流源供应电流给源跟随薄膜晶体管,当电流源被关闭时,电流源不供应电流给源跟随薄膜晶体管;以及电容(110),一端耦接于源跟随薄膜晶体管的源/漏极;其中源跟随薄膜晶体管用来在光电二极管于曝光操作时,依据光电二极管中的电荷的改变,来改变电容中的电荷。
  • 薄膜半导体结构图像传感器手持装置
  • [发明专利]CMOS结构、图像传感器及手持装置-CN201980004293.1有效
  • 林奇青;杨富强;杨孟达 - 深圳市汇顶科技股份有限公司
  • 2019-12-06 - 2022-03-18 - H04N5/374
  • 本申请公开了一种CMOS结构(103_1)、图像传感器及手持装置,所述CMOS结构耦接至薄膜半导体结构,所述薄膜半导体结构包括至少一像素,所述像素用来在重置阶段产生重置信号并输出至所述CMOS结构,以及在感测阶段产生感测信号,并在读出阶段才将所述感测信号输出至所述CMOS结构,所述CMOS结构包括:运放(206),正端(+)选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号,负端(‑)选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号;第一反馈电路(201),耦接于运放的负端与输出端之间,用于在重置阶段时,与运放共同组态为单位增益缓冲器;以及第二反馈电路(203),用于在读出阶段时,与第一反馈电路及运放共同组态为电荷放大器。
  • cmos结构图像传感器手持装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top