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[发明专利]SnNb2-CN202210147834.X有效
发明人：刘倩倩;杜铮宇;杜兴;刘波;李宛飞;程淼;胡敬;魏涛;凌云;邵乃成 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了SnNb2O(6‑x)Nx及其与金属单原子纳米复合材料的制备方法与应用，SnNb2O6‑xNx的制备方法包括以下步骤：(1)将尿素与水混匀，再加入铌酸锡纳米片，超声后进行水热反应；(2)将水热反应得到的产物经干燥处理后置于NH3和N2的混合气氛下，加热焙烧得到SnNb2O6‑xNx纳米片。本发明通过氮取代铌酸锡晶格氧形成空位得到所述SnNb2O6‑xNx，利用SnNb2O6‑xNx中的空位锚定金属原子，可提高金属单原子的稳定性，制备得到具有高催化活性、稳定性的单原子M‑SnNb2O6‑xNx纳米复合材料，M为铂、钯、铜、钌或铋；本发明制备的纳米复合材料具有可见光响应，可作为可见光光催化剂应用于光催化降解有机污染物、光解水产氢、CO2还原以及各类异相催化反应等。
snnb base sub

[发明专利]氧化亚铜@氧化铜-石墨烯纳米复合材料及其制备与应用-CN202210311193.7有效
发明人：胡敬;李金娟;刘波;徐守西;魏涛;程淼;刘倩倩;李宛飞;凌云 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化亚铜@氧化铜‑石墨烯纳米复合材料及其制备与应用，涉及纳米复合材料技术领域。本发明所述的制备方法包括以下步骤，碱性条件下，将氧化石墨烯加入到氧化亚铜分散液中，得到混合液；所述氧化亚铜分散液的质量浓度为1‑5mg/mL；所述碱性条件的pH为9‑14；对混合液进行搅拌、反应得到所述Cu2O@CuO‑RGO纳米复合材料。本发明所述方法过程简单，安全可靠，获得的产物纯度高，且成本较低易于大规模制备；制备得到的Cu2O@CuO‑RGO多级纳米复合材料在检测二氧化氮气体应用中具有突出优势。
氧化亚铜氧化铜石墨纳米复合材料及其制备应用

[发明专利]Li+-CN202310521870.2在审
发明人：刘美男;王露;李宛飞;吕卫邦;邸江涛 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01M10/056 文献下载
摘要：本发明公开了一种Li+双传输机制的复合固态电解质、其制备方法与应用。所述复合固态电解质包括基底膜以及固态锂离子电解质，多个孔结构沿基底膜的厚度方向贯穿，固态锂离子电解质填充于孔结构中；基底膜包括聚合物基体以及与聚合物基体复合的无机填料；无机填料包括层状硅酸盐黏土矿物材料，至少暴露于孔结构表面的层状硅酸盐黏土矿物材料的片层结构具有平行于孔结构的延伸方向的分布趋势。本发明所提供的复合固态电解质采用冰模板法构筑垂直通道结构，使得片层状的无机填料能够平行于孔结构的延伸方向分布，构成了Li+双传输机制，Li+既能在通道中的快速传输，也能在片层无机填料表面间的快速传输，从而显著提高锂离子的迁移数。
li base sup

[发明专利]一种气体传感器及其制备方法与应用-CN202210312858.6有效
发明人：胡敬;林聪;刘波;李楠;魏涛;殷晨鸣;程淼;刘倩倩;李宛飞;凌云 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体传感器及其制备方法与应用，涉及气体传感器技术领域。本发明气体传感器，包括基体，所述基体的表面还设置有GeTeOx薄膜和元素共掺的CuO薄膜；所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的中部重叠并形成异质结构，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜部分均延伸到基体上，所述GeTeOx薄膜和所述元素共掺的CuO薄膜的端部设置有导电金属薄膜，其中，0＜x≤4。本发明所述的气体传感器对H2S、NH3、NO2具有高灵敏度和较低的检测限。测试温度越高，检测极限越低，且灵敏度越高。本发明操作简便，反应条件简易，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大规模的制备器皿传感器元器件，适用于工业化生产。
一种气体传感器及其制备方法应用

[发明专利]基于激光直写金属掺杂Sb2-CN202010245207.0有效
发明人：魏涛;刘波;李宛飞;凌云;胡敬;程淼;刘倩倩 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光直写金属掺杂Sb2Te薄膜的自干涉曝光方法，该方法包括以下步骤：S1、在基片上沉积金属掺杂Sb2Te薄膜；S2、对所述薄膜进行曝光，基于激光诱导薄膜表面产生等离子体与激光间的干涉在薄膜表面产生晶化，得到亚波长尺寸的周期性表面结构。本发明利用金属掺杂Sb2Te薄膜在激光辐射下产生等离子体并与激光干涉形成周期性光场导致薄膜晶化从而产生周期性表面结构，无需超强超短激光脉冲即可得到等离子体，且能实现自干涉曝光得到亚波长尺寸的光栅结构，可用于亚波长尺寸的光电子器件制造。
基于激光金属掺杂 sb base sub

[发明专利]一种插层钒酸盐复合纳米材料及其制备方法与应用-CN202210667751.3在审
发明人： 李宛飞;吴剑锋;李鑫;刘倩倩;程淼;李军龙;凌云;刘波;胡敬;魏涛;刘俊杰;王晓冕;李亚兵;王露 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01G31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种插层钒酸盐复合纳米材料的制备方法与应用，该插层钒酸盐复合纳米材料的具体制备方法为：将含有金属离子的化合物与分子插层钒基前驱体搅拌混合均匀，通过自牺牲模板策略简单一锅煮水热方法和固态自支持热解技术得到所述插层钒酸盐复合纳米材料。本发明的制备方法简单，成本低，易规模化制备。本发明所得的插层钒酸盐复合纳米材料可以应用于电池电极。
一种钒酸盐复合纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种相变-热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法-CN202010305390.9有效
发明人：魏涛;刘波;魏劲松;凌云;李宛飞;刘倩倩;程淼;胡敬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种相变‑热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法：在基片(1)上沉积一层相变薄膜(2)，在相变薄膜(2)上沉积一层热分解型薄膜(3)，得到相变‑热分解型复合光刻胶；利用激光直写光刻系统(4)对相变‑热分解型复合光刻胶进行曝光，相变薄膜受激光照射产生相变形成相变区，并释放相变潜热，相变潜热加热相变区(5)上方的热分解型薄膜并使其分解，从而在热分解型薄膜上直接形成纳米通孔(6)；利用反应离子刻蚀系统(7)刻蚀相变‑热分解型复合光刻胶，使纳米通孔(6)下方的相变薄膜被刻蚀，最终得到纳米结构。本发明提供了一种操作简单、成本低廉、加工速度快，光刻分辨率高的纳米光刻方法。
一种相变分解复合光刻纳米方法

[发明专利]一种实现正负性转换的NSb2-CN202110418028.7有效
发明人：魏涛;沈万成;刘波;陈星;陈兴旺;程淼;胡敬;刘倩倩;李宛飞;凌云 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现正负性转换的NSb2Te光刻胶制备及其光刻方法，光刻胶制备方法以Sb2Te为靶材、以Ar为起辉气体、N2为掺杂气体，在基片上沉积得到NSb2Te光刻胶，控制Ar和N2的流量比，使NSb2Te光刻胶为正胶或负胶；光刻方法包括：S1：在基片上沉积一层NSb2Te光刻胶，控制NSb2Te光刻胶中氮元素的掺杂量，使NSb2Te光刻胶为正胶或者负胶；S2：利用激光直写光刻系统对所述NSb2Te光刻胶进行曝光；S3：利用反应离子刻蚀系统或酸/碱性显影剂对曝光后的所述NSb2Te光刻胶进行干法或湿法显影，得到具有微纳结构的光刻样品。本发明提供一种工艺简单、成本低廉、环境友好且能在同一显影剂中实现正负胶转换的光刻胶制备方法和光刻方法。
一种实现正负转换 nsb base sub

[发明专利]一种纤维素基辐射调温材料的制备方法-CN202110639646.4有效
发明人：程淼;刘波;李宛飞;凌云;胡敬;魏涛;刘倩倩 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08J9/40 文献下载
摘要：本发明属于节能材料技术领域，具体涉及一种纤维素基辐射调温材料的制备方法，包括以下步骤：将纤维素材料均匀分散在溶剂中，对纤维素材料进行功能化改性得到功能化改性纤维材料素分散液；将功能化改性纤维素材料分散液进行化学交联获得纤维素基凝胶；将相变材料封装在纤维素基凝胶中，干燥后得到所述纤维素基辐射调温材料。本发明以可再生的纤维素为基础制备辐射调温材料，在相变材料优异的储释热能力和纤维素基体辐射制冷特性的协同作用下，可实现优异的辐射调温效果；制备工艺简单、成本低廉且环保无毒，在建筑节能等领域具有广阔的应用前景。
一种纤维素辐射调温材料制备方法

[发明专利]一种氮掺杂碳包覆铌酸锡纳米材料及其制备方法与应用-CN202110816485.1有效
发明人：刘倩倩;杜铮宇;刘波;李宛飞;程淼;胡敬;魏涛;凌云 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用聚苯胺作为氮掺杂碳包覆铌酸锡的制备方法及其在锂电池负极中的应用，属于锂离子电池负极材料技术领域。具体制备方法为：将苯胺加入盐酸中混匀，加入铌酸锡纳米片并超声，将所得混合物加入过硫酸铵搅拌混合反应，固液分离取固相，并进行煅烧得到所述氮掺杂碳包覆SnNb2O6纳米材料。本发明制备得到氮掺杂碳包覆SnNb2O6纳米材料应用于锂电池的负极中。本发明步骤简单、便于工业化大规模生产，作为锂离子电池负极材料表现出较好的循环稳定性能。
一种掺杂碳包覆铌酸锡纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种纳米铋复合材料及其制备方法与应用-CN202111070703.8有效
发明人： 李宛飞;刘俊杰;王晓冕;李鑫;凌子轩;程淼;刘倩倩;胡敬;魏涛;凌云;刘波 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米铋复合材料及其制备方法与应用。具体制备方法为:将生物质基碳水化合物与铋基活性物质前驱体搅拌混合均匀，静置自组装形成水凝胶，冷冻干燥得到气凝胶，将所得气凝胶进行煅烧得到所述纳米铋复合材料。所得纳米铋复合材料应用在镁电极负极材料制备中。
一种纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种气体传感器及Si-RGO复合材料在制备气体传感器中的应用-CN202010507336.2有效
发明人：胡敬;刘波;李宛飞;凌云;魏涛;程淼;刘倩倩 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si‑RGO复合材料及其在检测二氧化氮气体中的应用。将尺寸为2‑5nm的Si量子点通过硅源原位修饰在RGO纳米薄膜表面，与作为导电网络和敏感基材的RGO原位形成异质结构，通过电泳的方法在电极表面形成Si‑RGO气敏膜，形成检测二氧化氮气体的气体传感器。Si‑RGO气敏膜与电极接合牢固，导电性能优良，制备工艺简单，反应条件温和，在室温下对NO2具有很高的灵敏度和较低的检测极限，该传感器件体积小、功耗低、结构稳定，适用于大规模制备气敏传感元器件。
一种气体传感器 si rgo 复合材料制备中的应用

[发明专利]核壳结构的纳米复合物纤维电极及其制备方法和应用-CN201810082438.7有效
发明人：张跃钢;潘争辉;丁晓宇;杨洁;刘娜;刘美男;李宛飞 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳结构的纳米复合物纤维电极及其制备方法和应用。所述核壳结构的纳米复合物纤维电极包括碳纳米管纤维，围绕所述碳纳米管纤维设置的钴镍合金超导网络，以及，围绕所述钴镍合金超导网络设置的金纳米粒子掺杂的氧化锰活性材料层；所述核壳结构的纳米复合物纤维电极的制备方法包括：于碳纳米管纤维上依次生长形成钴镍合金超导网络和金纳米粒子掺杂的氧化锰活性材料层，获得所述纳米复合物纤维电极。通过利用钴镍合金超导网络以及金掺杂MnOx活性材料对导电性的巨大增强等优势提高电极的充放电倍率性能；制备的核壳结构的纳米复合物纤维电极即使在20Vs‑1的扫速下电容依旧很高。
结构纳米复合物纤维电极及其制备方法应用

[发明专利]一种光电混合相变存储器测试系统及方法-CN202110910352.0在审
发明人：刘波;魏涛;吴奔;胡敬;李宛飞;程淼;刘倩倩;凌云 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电混合相变存储器测试系统及方法，包括：激光器模块，用于对样品提供诱导其相变材料相变的激光信号；电学测试模块，用于对样品提供测量信号并测试其相变材料相变所产生的电学性能变化；微控探针台，用于对样品引入并施加激光信号或测量信号；所述控制模块，用于根据测试指令控制激光器模块和电学测试模块在微控探针台上进行引入和切换。本发明可满足光电混合相变存储器的相变材料筛选和器件原理性验证等功能，操作简便，功能齐全。
一种光电混合相变存储器测试系统方法

[发明专利]一种空穴传输材料及量子点发光二极管-CN201811242098.6有效
发明人：苏文明;刘扬;李宛飞;谢黎明;纪学珍;王邈 -专利权人：苏州欧谱科显示科技有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种空穴传输材料，其具有深HOMO、高迁移率、高溶解度的特点，适用于量子点发光二极管中。本发明还公开了一种量子点发光二极管，其具有较高的效率，寿命较长。一种空穴传输材料，包括如通式I所示的化合物，其中，R1选自氢、氰基、三氟甲基、磺酸基中的一种；R2为氢或C1‑C30的烷基；R3和R4独立地选自于氢或乙烯基，并且至少其中一个为乙烯基。
一种空穴传输材料量子发光二极管

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