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[发明专利]一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法-CN201210346970.8无效
发明人：揭建胜;吴艺明;张希威;张玉萍;张晓珍;卞良 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：采用电子束沉积工艺在洁净的硅或氧化硅衬底上蒸镀金纳米颗粒薄膜，利用修饰金纳米颗粒的衬底为生长基底，采用物理气相沉积法制备有机单晶纳米线阵列。采用本发明技术方案，操作简单，并实现了在镀金衬底上一步制备大面积一维有机半导体纳米材料阵列。
一种制备有序有机纳米阵列方法

[发明专利]一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法-CN201210346968.0无效
发明人：揭建胜;吴艺明;张希威;张玉萍;张晓珍;卞良 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管的制备方法，利用物理气相沉积法生长单晶有机纳米线阵列，并以此高密度的有机纳米线阵列为模板，运用原子层沉积(ALD)技术在纳米线表层包裹生长硫化镉（CdS）壳层；通过控制有机纳米线类型和原子层沉积的工艺条件，可方便实现不同种类核壳型有机或无机异质结纳米结构阵列的可控制备；同时通过加热将核壳内有机纳米线蒸发能得到相应的中空无机纳米管阵列。本发明操作简单工艺简单，产物均匀，可控性高，可在原子层级别上控制异质结的形成；该方法制备得到的异质结纳米线以及纳米管阵列在太阳能电池、光开关和传感器等纳米电子、光电子领域具有着广阔的应用前景。
一种核壳型有机硫化纳米线异质结阵列制备方法

[发明专利]一种金属辅助硅纳米线阵列大面积分层刻蚀和转移方法-CN201210126653.5无效
发明人：揭建胜;王艳;张晓珍;张希威;卞良;吴艺明 -专利权人：苏州大学
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明在于公开了一种金属辅助硅纳米线阵列大面积分层刻蚀和转移方法，将经过一次湿法刻蚀后的Si片在空气中加热处理，使硅纳米线阵列底部的Ag纳米颗粒催化剂部分熔化，并有部分Ag纳米颗粒黏附在硅纳米线阵列的侧壁上，再次刻蚀的过程中黏附的Ag纳米颗粒发生横向刻蚀，使得硅纳米线阵列经二次刻蚀反应产生一个整齐的断层，再使用胶带将断层上的硅纳米阵列剥离下来。本发明提供了一种可用于工业化生产的硅纳米线阵列分层刻蚀与转移的方法，可实现本体硅基底材料的充分利用，及柔性硅纳米器件的制作。
一种金属辅助纳米阵列大面积分层刻蚀转移方法

[发明专利]三维动态操控方法及装置-CN201010562559.5无效
发明人：蔡其杭;吴业宽;刘柏甫;邱建中;张晓珍 -专利权人：财团法人资讯工业策进会
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明提供一种三维动态操控方法及装置，该三维动态操控方法包括：利用一立体摄影系统拍摄一连续影像并从该连续影像中辨识出一控制件，以及撷取该控制件的三维空间坐标；依据该控制件的三维空间坐标判断该控制件的一速度；以及依据该速度对一可视物件进行操控。通过实施本发明，使用者在进行操控时不必被局限在特定区域，不论控制件距离摄影镜头远近及方向，相同的移动量皆可产生相同的操控效果，进而提升动态操控系统/装置整体的自由度及精确度。
三维动态操控方法装置