“廖建茂”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]研磨垫磨损状况检测装置-CN201110144390.6无效
发明人： 廖建茂;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种研磨垫磨损状况检测装置，适用于化学机械研磨机，且包括臂状物及高度检测器。臂状物的一端固定在化学机械研磨机上。高度检测器设置于臂状物上，用以量测研磨垫的高度变化。本发明可实时地且准确地量测出研磨垫的磨损状况。
研磨磨损状况检测装置

[发明专利]薄膜-CN201110144307.5有效
发明人： 廖建茂;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：一种薄膜，适用于安装在化学机械研磨机的研磨头上，且薄膜包括主要部分及边缘部分。边缘部分位于主要部分的边缘，其特征在于主要部分与边缘部分之间的第一夹角为钝角。本发明可使经研磨后的基材具有较佳的表面平坦度。
薄膜

[发明专利]距离监控装置-CN201110144254.7有效
发明人： 廖建茂;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：一种距离监控装置，适用于化学机械研磨机，化学机械研磨机的研磨头包括框架及薄膜，薄膜装设于框架上，且薄膜与框架于研磨头中形成多个气囊。距离监控装置包括多个距离检测器，分别设置于气囊所对应的框架上，将各个距离检测器位于框架上的位置设为基准点，各个距离检测器用以测量各个基准点与薄膜之间的距离。本发明可使经研磨后的基材具有较佳的表面平坦度。
距离监控装置

[发明专利]半导体构件的制造方法-CN201110144219.5无效
发明人： 廖建茂;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种半导体构件的制造方法，包括下列步骤。首先，提供基底，基底中已形成有开口。接着，于基底上形成材料层，且材料层填满开口，而位于开口外部且位于开口上方的材料层中具有凹陷。然后，于凹陷的表面上形成牺牲层。接下来，进行化学机械研磨处理，以移除牺牲层及位于开口外部的材料层，其特征在于化学机械研磨处理对材料层的研磨速率大于对牺牲层的研磨速率。本发明可提升经研磨后的材料层的表面平坦度并抑制碟形效应的产生，进而提升所形成的半导体构件的可靠度。
半导体构件制造方法

[发明专利]化学机械研磨方法-CN201110144388.9无效
发明人： 廖建茂;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械研磨方法，其适用于在化学机械研磨机中使用疏水性研磨垫对基材进行研磨，且此化学机械研磨方法包括下列步骤。首先，对基材进行第一化学机械研磨过程。接着，对疏水性研磨垫进行第一清洗过程。然后，对基材进行第二化学机械研磨过程，其特征在于第一化学机械研磨过程、第一清洗过程与第二化学机械研磨过程为依序进行。本发明可有效提升在使用疏水性研磨垫时的研磨效率。
化学机械研磨方法

[发明专利]元件的制造方法与平坦化制程-CN201110035083.4有效
发明人： 廖建茂;陈逸男 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种元件的制造方法与平坦化制程。该方法提供一基底，基底上已形成有多个图案以及位于图案之间的多个开口。于图案上形成一第一液态支撑层，第一液态支撑层填入开口中。将第一液态支撑层转变成一第一固态支撑层，第一固态支撑层包括形成于开口中的多个支撑件，其中支撑件形成于图案之间。对图案进行一处理步骤。将包括支撑件的第一固态支撑层转变成一第二液态支撑层。移除第二液态支撑层。本发明的元件的制造方法与平坦化制程具有较佳的效率与简化的步骤。
元件制造方法平坦化制程

[发明专利]形成沟槽隔离结构的方法-CN02131995.2有效
发明人：施信益;廖建茂;吴昌荣 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成沟槽隔离结构的方法。首先，提供一具有至少一沟槽的基底。接着，在沟槽中填入一旋涂式玻璃层(spin on glass，SOG)并对旋涂式玻璃层进行一第一烘烤处理。之后，回蚀刻旋涂式玻璃层至一既定深度。接着，对旋涂式玻璃层进行一第二烘烤处理。最后，在旋涂式玻璃层上形成一高密度电浆氧化硅层，以填满沟槽。
形成沟槽隔离结构方法

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top