专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种线电极结构的有机铁电薄膜电容器及其制备方法-CN201910680720.X有效
  • 张修丽;黄志强;孙晓慧;平云霞;李龙 - 上海工程技术大学
  • 2019-07-26 - 2022-06-21 - H01G4/33
  • 本发明涉及一种线电极结构的有机铁电薄膜电容器及其制备方法,制备方法为:分别将有机铁电薄膜的上下表面与上电极和下平板金属电极复合,有机铁电薄膜与上电极复合是通过设计上电极图案后,采用金属导电墨水在有机铁电薄膜表面同时喷墨打印多条沿X方向平行排列的线性金属电极和多条沿Y方向平行排列的线性金属电极,并控制X和Y方向的夹角为30~90°实现的;最终制得的电容器包括上电极层、中间有机铁电薄膜层和下平板金属电极层,上电极层由位于同一平面且交错成网状结构的多条沿X方向平行排列的线性金属电极和多条沿Y方向平行排列的线性金属电极组成。本发明的制备方法简单、成本较低;制得的电容器具有优良的极化性能。
  • 一种电极结构有机薄膜电容器及其制备方法
  • [发明专利]一种制作NiGeSn材料的方法-CN201510977256.2有效
  • 平云霞;孟骁然 - 上海工程技术大学
  • 2015-12-22 - 2018-11-27 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种制作NiGeSn材料的方法,所述方法是首先提供Ge1‑xSnx层材料做为初始衬底,再在Ge1‑xSnx层表面生长金属插入层,接着在金属插入层表面生长Ni金属层;然后进行快速退火处理:以25~75℃/秒的升温速率升温至300~600℃,保温20~120秒后,在100~200秒时间内冷却至室温,最后采用化学腐蚀法去除金属插入层和未反应的金属Ni,即得到NiGeSn材料。本发明方法具有工艺简单,易于工业化实施等优点;所生成的NiGeSn材料连续、均一、平整,可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求,并有利于提高晶体管器件的电性能。
  • 一种制作nigesn材料方法
  • [发明专利]一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法-CN201410605211.8有效
  • 平云霞;侯春雷 - 上海工程技术大学
  • 2014-10-30 - 2015-03-04 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法,所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni1-xTix合金层,其中的0.1≤x≤0.6;然后进行快速退火处理:以30~50℃/秒的升温速率升温至300~500℃,保温20~120秒后,在115~200秒时间内冷却至室温;采用化学腐蚀法选择性去除最外层:NiTiGe混合合金层,即得到位于锗衬底表面的外延NiGe材料。本发明方法具有工艺简单,易于工业化实施优点,所生成的NiGe材料连续、均一、平整,可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求,并有利于提高晶体管器件的电性能。
  • 一种使用niti合金外延生长nige材料方法

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